Небуферизированные модули DDR3 памяти объемом 8 Гбайт присутствуют на рынке почти год. Долгое время их выбор был невелик, частота ограничивалась стандартным значением 1333 МГц, а цена из расчета на гигабайт была в три раза выше, чем у пары модулей по 4 Гбайта каждый.
Одной из первых о выпуске памяти с объемом 8 Гбайт на модуль заявила компания ADATA, и через некоторое время двухканальный комплект AXDU1333GW8G9-2G был протестирован в нашей лаборатории. К сожалению, данный комплект совсем не порадовал своим разгонным потенциалом по причине его отсутствия.
Позже в продаже появились 8 Гбайт модули Kingston из недорогой серии Value RAM. Хотя они и стоили уже несколько меньше, чем вышеупомянутый комплект ADATA, но до сопоставимого сравнения с парой модулей по 4 Гбайта (по цене, распространенности и рабочим частотам) было все еще очень далеко.
На тот момент только один производитель занимался выпуском микросхем оперативной памяти с плотностью 4 гигабита в объемах, достаточных для массового производства модулей. Это Elpida Memory и их J4208BASE/J4208EASE, работающие соответственно на напряжении 1.50 В и 1.35 В. Для этого использовались производственные мощности компании, расположенные в Японии. Затраты на производство в не самой дешевой стране мира и отсутствие заметной конкуренции стали причиной высоких цен на модули 8 Гбайт. И, несмотря на то, что ранее на тех же заводах выпускали легендарные микросхемы Elpida Hyper, новая память с высокой плотностью оказалась неспособна работать на высоких частотах. Даже 1600 МГц стали для нее проблемой.
Такая ситуация сохранялась до конца прошлого года и совсем не способствовала распространению памяти объемом 8 Гбайт. Особенно, если учесть, что одновременно снизилась стоимость модулей по 4 Гбайта, и разрыв в цене только увеличился. Да и сейчас большинству пользователей вполне достаточно двух (или, в крайнем случае, четырех) модулей по 4 Гбайт. Но в данном обзоре речь пойдет совсем не о том, сколько нужно памяти для решения тех или иных задач. А о том, какие произошли изменения на рынке оперативной памяти в плане ассортимента и цен на модули объемом 8 Гбайт и о том, какие из них следует выбирать для разгона.
Что же изменилось в этом году? Практически все крупные производители памяти, такие как Samsung, Hynix, Micron, Nanya (Elixir) наладили массовый выпуск микросхем плотностью 4 гигабита. Как следствие, в этом сегменте рынка появилась конкуренция, что начало сказываться на ценах. Производством модулей памяти объемом 8 Гбайт занялось множество компаний, что улучшило их распространенность. В итоге у покупателей появился выбор. Стоимость данной памяти все еще не стабилизировалась, но уже сейчас модули по 8 Гбайт можно найти в продаже начиная от $50.
Появление комплектов памяти, состоящих из модулей по 8 Гбайт и работающих на высоких частотах, превышающих 2 гигагерца, явно говорит о том, что и среди новых микросхем с плотностью 4 гигабита появились хорошо разгоняемые. Чтобы узнать, какие именно, на тестирование было взято шесть разновидностей модулей объемом 8 Гбайт по две штуки каждого типа. Несмотря на то, что разброс по цене получился почти двукратный – от 1500 до 2800 рублей за модуль, все эти модели можно отнести к бюджетной категории, как из-за отсутствия радиаторов, так и по причине работы на низкой номинальной частоте.
Характеристики тестируемых модулей памяти перечислены в таблице:
Производитель модуля | Silicon Power | NCP | Patriot | GeIL | Kingston | Samsung |
Маркировка модуля | SP008GBLTU133N02 | NCPH10AUDR-13M28 | PSD38G13332 | GB316GB1600C10DC | KVR1333D3N9/8G | M378B1G73BH0-CH9 |
Производитель микросхем | Elpida | Elpida | Micron | Elpida | Elpida | Samsung |
Маркировка микросхем | S-POWER 40YT3EB | NP15H51284GF-13 | PM512M8D3BU-15 | GL1L512M88BA15BW | J4208EASE-DJ-F | K4B4G0846B-HCH9 |
Объём, Мбайт | 8192 | 8192 | 8192 | 2x8192 | 8192 | 8192 |
Тип памяти | DDR3-1333 | DDR3-1333 | DDR3-1333 | DDR3-1600 | DDR3-1333 | DDR3-1333 |
Поддержка ECC | Нет | Нет | Нет | Нет | Нет | Нет |
Рейтинг | PC3-10600 | PC3-10600 | PC3-10600 | PC3-12800 | PC3-10600 | PC3-10600 |
Частота, МГц | 1333 | 1333 | 1333 | 1600 | 1333 | 1333 |
Тайминги | 9-9-9-24 | 9-9-9-24 | 9-9-9-24 | 10-10-10-28 | 9-9-9-24 | 9-9-9-24 |
Напряжение, В | 1.50 | 1.50 | 1.50 | 1.50 | 1.50 | 1.50 |
Профили EPP/XMP/BEMP | Нет | Нет | Нет | XMP | Нет | Нет |
Цена, рублей* | 1470 | 1533 | 1680 | 3444** | 2650 | 2800 |
Обзор модулей памяти и результаты их тестирования будут приведены в очередности возрастания стоимости участников.
Начнем с самого дешевого на данный момент варианта среди моделей объемом 8 Гбайт - Silicon Power .
Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта
Данная память поставляется в запаянных коробочках из прозрачного пластика с бумажным вкладышем внутри, на котором заявлено, что память прошла проверку и обеспечивается пожизненной гарантией.
Внешне данные модули ничем не выделяются от множества им подобных: зеленый цвет печатной платы и шестнадцать микросхем памяти DDR3 с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.
На наклейке приведена маркировка модуля (SP008GBLTU133N02), тип памяти (DDR3), номинальная частота (1333 МГц) и значение тайминга CAS Latency (CL9). Страну производства можно определить по штрих-коду (471 - Тайвань).
На модуль установлены микросхемы памяти DDR3 с плотностью 4 гигабита в корпусе FBGA и размером 9.0x10.5 мм:
Их маркировка была изменена производителем модуля на S-POWER 40YT3EB. Но судя по дизайну точки в левом нижнем углу (круг с вертикальными полосами), перед нами одна из разновидностей микросхем производства Elpida Memory:
Об этом также косвенно говорит формат нижней строки маркировки, схожий с теми, что можно встретить на других модулях, использующих микросхемы Elpida с измененной маркировкой. Кстати из нее можно узнать дату производства микросхем – 51-я неделя 2011 года.
К сожалению, на данный момент на сайте Elpida Memory есть информация только о четырехгигабитных микросхемах «A-Die» (Elpida J4208BASE/J4208EASE), а они отличаются большим размером (9.3x13.0 мм).
Но в сети можно найти фотографии более новых микросхем «B-Die» (Elpida J4208BBBG) и, сопоставив размеры, можно предположить, что они используются на Silicon Power SP008GBLTU133N02.
Микросхема SPD:
silicon_power_sp008gbltu133n02_spd .
Модуль основан на шестислойной печатной плате HJ M1 KO-60244:
Следующий на очереди вариант памяти Hexon Technology . Он совсем незначительно дороже предыдущего и за исключением упаковки ничем особенным от него не отличается.
NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта
Данный экземпляр попал на тестирование без какой-либо упаковки.
Это еще один зеленый модуль памяти стандартного размера и с микросхемами, установленными с обеих сторон:
Маркировка модуля NP15H51284GF-13, объем 8 Гбайт, номинальная частота 1333 МГц. Гарантия производителя – пожизненная, но в российских магазинах её зачастую ограничивают до 3-5 лет.
Компания Hexon Technology в прошлом использовала микросхемы производства Infineon, но на модуле NCP NCPH10AUDR-13M28 можно увидеть то же, что и на Silicon Power SP008GBLTU133N02:
Размеры 9.0x10.5 мм, дизайн точки и нижняя строка выдают использование все тех же микросхем Elpida «B-Die», только произведенных чуть ранее – на 42-й неделе 2011 года.
Микросхема SPD:
Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: ncp_ncph10audr-13m28_spd .
Печатная плата – шестислойная B63URB 0.70 производства Brain Power:
Переходим к обзору модулей памяти производства компании Patriot Memory. Они дороже вариантов Silicon Power, но все равно по цене ближе к ним, чем к GeIL, Kingston и Samsung.
Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта
Данная память относится к недорогой серии Signature Line. Модули поставляются в прозрачной пластиковой упаковке, но в магазин попали уже без неё.
Модуль памяти выполнен на тёмно-зеленой печатной плате стандартного размера с микросхемами, установленными с обеих сторон:
На наклейке указана маркировка модуля (PSD38G13332), его объем (8 Гбайт) и номинальная частота (1333 МГц):
Установлены микросхемы памяти DDR3 с плотностью 4 гигабита в корпусе FBGA и размером 10.5x12.0 мм:
В данном случае верхняя часть маркировки микросхем была нанесена производителем модуля, а по оставшейся части можно определить, что это микросхемы Micron.
Здесь нет точки с двойной спиралью, но подобный вид маркировки уже можно было ранее, например, на модулях Crucial. Чтобы определить тип использованных в Patriot PSD38G13332 микросхем, воспользуемся каталогом на сайте производителя. После установки всех известных параметров находим единственный подходящий вариант MT41J512M8RA-15E ревизии D. Затем, используя декодер, получаем FBGA-код D9PCH.
Микросхема SPD:
Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: patriot_psd38g13332_spd .
Patriot PSD38G13332 использует печатную плату Levin 2601:
Переходим ко второй половине участников тестирования и двухканальному комплекту памяти производства Golden Emperor International Ltd (GeIL).
Доброго времени суток дорогие посетители.
При покупке ОЗУ необходимо уделять внимание ее частоте. Вам известно, почему? Если нет, предлагаю ознакомиться с данной статьей, из которой вы узнаете, на что влияет частота оперативной памяти. Информация может пригодиться и тем, кто уже немного ориентируется в данной теме: вдруг вы еще чего-то не знаете?
Частоту оперативки правильнее назвать частотой передачи данных. Она показывает, какое их количество способно передать устройство за одну секунду посредством выбранного канала. Проще говоря, от данного параметра зависит производительность оперативной памяти. Чем он выше, тем быстрее она работает.
Исчисляется частота в гигатрансферах (GT/s), мегатрансферах (MT/s) или в мегагерцах (МГц). Обычно цифра указывается через дефис в наименовании устройства, например, DDR3-1333.
Однако не стоит обольщаться и путать это число с настоящей тактовой частотой, которая вполовину меньше от прописанной в названии. На это указывает и расшифровка аббревиатуры DDR - Double Data Rate, что переводится как двойная скорость передачи данных. Поэтому, к примеру, DDR-800 на деле функционирует с частотой 400 МГц.
Дело в том, что на устройстве пишут его максимальную частоту. Но это не значит, что всегда будет использоваться все ресурсы. Чтобы это стало возможным, памяти необходима соответствующая шина и слот на материнской плате с той же пропускной способностью.
Допустим, вы решили в целях ускорения работы своего компьютера установить 2 оперативки: DDR3-2400 и 1333. Это бессмысленная трата денег, потому что система сможет работать только на максимальных возможностях наиболее слабого модуля, то есть второго. Также, если вы установите плату DDR3-1800 в разъем на материнке с пропускной способностью 1600 МГц, то на деле получите последнюю цифру.
В виду того, что устройство не предназначено постоянно функционировать на максимуме, а материнка не соответствует таким требованиям, пропускная способность не увеличится, а, наоборот, понизится. Из-за этого могут происходить ошибки в загрузке и работе операционной системы.
Но параметры материнки и шины - не все, что влияет на быстродействие ОЗУ с учетом ее частоты. Что еще? Читаем далее.
Чтобы добиться наибольшей эффективности в работе оперативной памяти, возьмите во внимание режимы, которые устанавливает для нее материнская плата. Они бывают нескольких типов:
В процессе передачи информации от оперативной памяти к процессору большое значение имеют тайминги. Они определяют, какое количество тактовых циклов ОЗУ вызовет задержку в возврате данных, которые запрашивает CPU. Проще говоря, этот параметр указывает время задержки памяти.
Измерение производится в наносекундах и прописывается в характеристиках устройства под аббревиатурой CL (CAS Latency). Тайминги устанавливаются в диапазоне от 2 до 9. Рассмотрим на примере: модуль с CL 9 будет задерживать 9 тактовых циклов при передаче информации, которую требует проц, а CL 7, как вы понимаете, - 7 циклов. При этом обе платы имеют одинаковый объем памяти и тактовую частоту. Тем не менее, вторая будет работать быстрее.
Из этого делаем несложный вывод: чем меньше количество таймингов, тем выше скорость работы оперативки.
На этом всё.
Вооружившись информацией из этой статьи, вы сможете правильно подобрать и установить оперативную память согласно своим потребностям.
В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативной памяти для настольных компьютеров:
Таблица 1: Технические характеристики оперативной памяти по стандартам JEDEC
JEDEC - Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)
Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа - PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.
Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как "тайминги памяти".
Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив - простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но чаще всего используются четыре из них:
Если вы увидите на модулях обозначения "2-2-2-5" или "3-4-4-7", можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.
Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR - 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, к примеру, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 - экстремальный вариант для отборных "оверклокерских" микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS - чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.
В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:
Таблица 2: Общие скорости памяти DDR и спецификации
Таблица 3: Общие скорости памяти DDR2 и спецификации
Тип | Частота шины | Скорость передачи данных | Тайминги | Заметки |
---|---|---|---|---|
PC3-8500 | 533 | 1066 | 7-7-7-20 | чаще называемые DDR3-1066 |
PC3-10666 | 667 | 1333 | 7-7-7-20 | чаще называемые DDR3-1333 |
PC3-12800 | 800 | 1600 | 9-9-9-24 | чаще называемые DDR3-1600 |
PC3-14400 | 900 | 1800 | 9-9-9-24 | чаще называемые DDR3-1800 |
PC3-16000 | 1000 | 2000 | TBD | чаще называемые DDR3-2000 |
Таблица 4: Общие скорости памяти DDR3 и спецификации
DDR3 можно назвать новичком среди моделей памяти. Модули памяти этого вида, доступны только около года. Эффективность этой памяти продолжает расти, только недавно достигла границ JEDEC, и вышла за эти границы. Сегодня DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) широко доступна, и все больше производителей уже предлагают DDR3-1800). Прототипы DDR3-2000 показаны на современном рынке, и в продажу должны поступить в конце этого года - начале следующего года.
Процент поступления на рынок модулей памяти DDR3, согласно с данными производителей, все еще небольшая, в пределах 1%-2%, и это значит, что DDR3 должен пройти длинный путь прежде чем будет соответствовать продажам DDR (все еще находиться в пределах 12%-16%) и это позволит DDR3 приблизиться к продажам DDR2. (25%-35% по показателям производителей).
Вопрос: Совместимость оперативной памяти 2GB-1333 и 4GB-1600
Ответ: Да дело в том что на некоторых сайта прогружает страницы на несколько секунд медленнее,вот что меня забеспокоило.
Вопрос: Что будет, если стоит оперативная память на 1333 и на 1600 мгц?
Что будет, если стоит оперативная память на 1333 и на 1600 мгц,
1333 мгц на 4 гига, а 1600 на 8,
и в биосе поставить 1600 мгц?
Так пойдёт? И что будет?
Поподробнее, пожалуйста!
Ответ:
Должны быть видны все 12 ГБ и работать на 1333 МГц.
Если поставить принудительно 1600 МГц, то 1333 МГц планка может на этой частоте не заработать. Тогда ПК не стартанёт. Если стартанёт, то есть некоторая вероятность, что система будет работать нестабильно (зависания, синие экраны).
Ну а заработает, то и хорошо.
Вопрос: Как поднять частоту с 1333 до 1600?
Система показывает что оперативная память работает на 1333,как можно поднять до 1600??
Ответ: Память имеет XMS.Заходите в биос раздел твикер,или как там?Активируйте XMS режим,F 10 и вуаля.
Вопрос: Апгрейд оперативной памяти на ноутбуке ASUS k52jc
Ответ: К сожалению, BIOS на этом ноутбуке не позволяет выставить настройки оперативной памяти. Я там уже пытался это сделать, да тщетно. Такое ощущение,что этот "новый" BIOS на ноутах создали для детей,чтобы те не "выставили" значений, отличных от дефолтовских.
Добавлено через 10 минут
Спасибо за ответ.
Конфигурация следующая:
ЦП Mobile DualCore Intel Core i5-460M, 2877 MHz (Arrandale-3M)
Северный мост Intel Ironlake-M IMC
Южный мост: Intel Ibex Peak-M HM55
Вопрос: Не работает компьютер с новой оперативной памятью
KINGSTON KVR16N11S8/4-SP
ОБЩИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
нет
ДОПОЛНИТЕЛЬНО
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.5 В
Количество ранков
1
ТАЙМИНГИ
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
SAMSUNG M378B5773CH0-CH9
Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1333 МГц
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Дополнительно
Напряжение питания
1.5 В
ASUS P7H55-M PRO
Процессор
Socket
LGA1156
Поддерживаемые процессоры
Intel Core i7/Core i5/Core i3/Pentium
Поддержка многоядерных процессоров
есть
Чипсет
Чипсет
Intel H55
BIOS
AMI c возможностью аварийного восстановления
Поддержка SLI/CrossFire
нет
Память
Память
DDR3 DIMM, 1066 - 2133 МГц
Количество слотов памяти
4
Поддержка двухканального режима
есть
Максимальный объем памяти
16 Гб
Дисковые контроллеры
IDE
количество слотов: 1, UltraDMA 133
SATA
количество разъемов SATA 3Gb/s: 6
Слоты расширения
Слоты расширения
1xPCI-E x16, 1xPCI-E x1, 2xPCI
Поддержка PCI Express 2.0
есть
Аудио/видео
Звук
7.1CH, HDA
Встроенный видеоадаптер
есть
Сеть
Ethernet
1000 Мбит/с
Подключение
Наличие интерфейсов
12 USB, выход S/PDIF, 1xCOM, D-Sub, DVI, HDMI, Ethernet, PS/2 (клавиатура)
Разъемы на задней панели
6 USB, оптический выход, D-Sub, DVI, HDMI, Ethernet, PS/2 (клавиатура)
Основной разъем питания
24-pin
Разъем питания процессора
8-pin
Дополнительные параметры
Форм-фактор
microATX
Intel Core i5-661 Clarkdale (3333MHz, LGA1156, L3 4096Kb)
Общие характеристики
Socket LGA1156
Ядро
Ядро Clarkdale
Количество ядер 2
Техпроцесс 32 нм
Частотные характеристики
Тактовая частота 3333 МГц
Системная шина DMI
Коэффициент умножения 25
Напряжение на ядре 0.65 B
Интегрированное графическое ядро HD Graphics, 900 МГц
Встроенный контроллер памяти есть, полоса 21 Гб/с
Кэш
Объем кэша L1 64 Кб
Объем кэша L2 512 Кб
Объем кэша L3 4096 Кб
Наборы команд
Поддержка Hyper-Threading есть
Инструкции MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64T есть
Поддержка NX Bit есть
Поддержка Virtualization Technology есть
Дополнительно
Типичное тепловыделение 87 Вт
Максимальная рабочая температура 69.8 °C
Дополнительная информация напряжение на ядре 0.65В-1.4В
NVIDIA GeForce GTX 650 Ti Boost (ASUS)
Общие характеристики
Тип видеокарты
офисная/игровая
Графический процессор
NVIDIA GeForce GTX 650 Ti
Интерфейс
PCI-E 16x 3.0
Кодовое название графического процессора
GK106
Техпроцесс
28 нм
Количество поддерживаемых мониторов
4
Максимальное разрешение
2560x1600
Технические характеристики
Частота графического процессора
980 МГц
Объем видеопамяти
2048 Мб
Тип видеопамяти
GDDR5
Частота видеопамяти
5400 МГц
Разрядность шины видеопамяти
128 бит
Частота RAMDAC
400 МГц
Подключение
Разъемы
DVI x2, поддержка HDCP, HDMI, VGA
Версия HDMI
1.4a
Математический блок
Число универсальных процессоров
768
Версия шейдеров
5.0
Число текстурных блоков
64
Число блоков растеризации
16
Максимальная степень анизотропной фильтрации
16x
Максимальная степень FSAA
32x
Поддержка стандартов
DirectX 11, OpenGL 4.3
Дополнительные характеристики
Поддержка CUDA
есть
Необходимость дополнительного питания
да, 6 pin
TDP
110 Вт
Количество занимаемых слотов
2
Ответ: Она не треклятая, а односторонняя. На Вашей системе 4 Гб планки будут работать только двухсторонние (чипы памяти располагаются с двух сторон модуля, по 8 штук с каждой стороны).
Вопрос: Совместимость оперативной памяти с материнской платой
// планка стоит одна, а значит конфликтов быть не может.
На коробке материнки да и в пособии написано, что данная частота поддерживается.
//// Материнская плата: GIGABYTE S-series (Easy Energy Saver M) P43T-ES3G
Ответ:
yonis78
, прав, не надо бежать и хватать первое попавшее в руки:
Официально поддерживаемые стандарты памяти
- PC3-6400 (DDR3 800 МГц), PC3-8500 (DDR3 1066 МГц), PC3-10600 (DDR3 1333 МГц)
Вопрос: Оперативная память, новая видеокарта и высокие частоты, не дружат?
Ответ:
Вы видимо не внимательно читали, но у меня и БИОС то же грузится очень медленно, буквально спустя 3 минуты ожидания только появляется картинка, если попробовать зайти в настройки BOIS то после нажатия кнопки Del (По умолчанию настройки биоса на моей мат. плате) то ждать придется ещё около 2 минут, прежде чем зайдет в BOIS.
А вообще
Частота оперативной памяти – чем выше частота, тем быстрее будет передана информация на обработку и тем выше будет производительность компьютера. Когда говорят о частоте оперативной памяти, имеют ввиду частоту передачи данных, а не тактовую частоту.
Частота передачи данных (правильно ее называть — скорость передачи данных, Data rate) — количество операция по передачи данных в секунду через выбранный канал. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Для DDR3-1333 скорость передачи данных будет 1333 MT/s.
Нужно понимать, что это не тактовая частота. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate) – это удвоенная скорость передачи данных. Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц.
Частота оперативной памяти, указанная на плате, это максимальная частота, с которой она сможет работать. Если установить 2 платы DDR3-2400 и DDR3-1333, то система будет работать на максимальной частоте самой слабой платы, т.е. на 1333. Таким образом, пропускная способность понизится, но снижение пропускной способности не единственная проблема, могут появится ошибки при загрузке операционной системе и критических ошибках в ходе работы. Если вы собрались покупать оперативную память, нужно учитывать частоту на которой она может работать. Эта частота должна соответствовать частоте, поддерживаемой материнской платой.
Второй параметр (на фото PC3-10666) — это максимальная скорость передачи данных измеряемая в Mb/s. Для DDR3-1333 PC3-10666 максимальная скорость передачи данных — 10,664 MB/s.
Многие материнские платы, при установке на них модулей памяти, устанавливают для них не максимальную тактовую частоту. Одна из причин – это отсутствие прироста производительности при повышении тактовой частоты, ведь при повышении частоты повышаются рабочие тайминги. Конечно, это может повысить производительность в некоторых приложениях, но и понизить в других, а может и вообще никак не повлиять на приложения, которые не зависят от задержек памяти или от пропускной способности.
Тайминг определяет время задержки памяти. Для примера, параметр CAS Latency (CL, или время доступа) определяет сколько тактовых циклов модуля памяти приведет к задержке в возврате данных, запрашиваемых процессором. Оперативная память с CL 9 задержит девять тактовых циклов, чтобы передать запрашиваемые данные, а память с CL 7 задержит семь тактовых циклов, чтобы передать их. Обе оперативки могут иметь одинаковые параметры частот и скорости передачи данных, но вторая оперативка будет передавать данные быстрее, чем первая. Эта проблема известна как «латентность».
Чем меньше параметр тайминга — тем быстрее память.
Для примера. Модуль памяти Corsair установленный на материнскую плату M4A79 Deluxe будет иметь такие тайминги: 5-5-5-18. Если увеличить тактовую частоту памяти до DDR2-1066, тайминги увеличатся и будут иметь следующие значения 5-7-7-24.
Модуль памяти Qimonda при работе на тактовой частоте DDR3-1066 имеет рабочие тайминги 7-7-7-20, при увеличения рабочей частоты до DDR3-1333 плата устанавливает тайминги 9-9-9-25. Как правило, тайминги прописаны в SPD и для разных модулей могут отличаться.