Дания - благополучная страна, построившая свой вариант «скандинавского социализма». Конституционная монархия с развитой экономикой и доходами, обеспечивающими социальную защиту населения при политической стабильности и мягком морском климате - вот неполный перечень преимуществ, делающих Данию привлекательной для учёбы, работы и жизни. Переезд не является чем-то несбыточным. Несмотря на ужесточение иммиграционного режима по всей Европе, Дания по-прежнему открыта. Её законы чётко прописаны и соблюдаются, что даёт широкий спектр вариантов иммиграции для граждан России.

Как переехать из России в Данию?

Охота к перемене мест присуща роду человеческому. Основной движущий фактор - поиск лучшей доли. Но не только. Жизнь многообразна, как и причины, заставляющие сниматься с насиженного места. Переезд может быть временным или постоянным, главное, чтобы решение иммигрировать было продуманным и осмысленным.

Когда человек покидает родину, он эмигрирует, становится эмигрантом. Для чужой страны он будет иммигрантом. Сам процесс, достигая определённой массовости, называется миграцией населения.

Итак, российский эмигрант выбирает Данию страной проживания, и перед ним стоит одновременно простая и сложная задача. Простая, потому что датское законодательство в сфере иммиграционного права не чинит непреодолимых препятствий, и сложная по той же причине. Желающих много, отбор придирчивый. Надо определиться, какой вариант переезда не только лучше подходит, но и даёт более высокие шансы.

Видео: тур по Копенгагену

Инвестиции и бизнес

Дания готова давать вид на жительство тем, кто инвестирует в её экономику больше 50 000 евро. На первый взгляд, сумма невелика, доступна тем, кто может продать квартиру или взять кредит в банке под залог имущества.

Однако фактические расходы превысят требуемые инвестиции. ВНЖ нельзя купить, вид на жительство не продаётся. Будущий иммигрант обязуется открыть бизнес, который создаст рабочие места и принесёт прибыль. Редкому иностранцу удаётся выполнить задачу самостоятельно. Возникнут расходы на посредников и адвокатов. Дополнительным финансовым бременем ляжет открытие счёта, регистрация предприятия, обязательный страховой депозит в банке.

В качестве выхода инвестору предлагается покупка готового бизнеса или открытие совместного дела с предпринимателем, легально проживающим в Дании. Под программы бизнес-иммиграции зарегистрированы десятки юридических лиц, ждущих российского покупателя. Помощь оказывает торгпредство России в Дании.

Кто преодолевает трудности и становится датским предпринимателем, подвергается ещё одному испытанию - интервью на английском или датском языке в Директорате по делам иностранцев. Успешное прохождение даёт годовой ВНЖ, который надо продлевать в течение трёх лет, чтобы наконец получить ПМЖ, а с ним - все права гражданина Дании.

Инвестиции ради ВНЖ - не просто для состоятельных мигрантов, мало иметь деньги, нужны знания и умение руководить бизнесом. Много претендентов разорились на этом поприще, не достигнув желаемого в виде датского ПМЖ.

Трудоустройство

Получить ВНЖ через работу в Дании - идеальный вариант для тех, кто востребован на рынке труда. Заинтересованный работодатель получит разрешение на наём иностранного специалиста, заключит с ним контракт и обеспечит визовую поддержку и сопровождение для ускоренного прохождения формальностей.

В Дании востребованы узкие специалисты в медицине, науке и IT-технологиях. Современный рынок труда динамичен и подвержен изменениям, в том числе сезонным. Отслеживать запросы и вакансии можно на информационных ресурсах.

Хорошая практика - рассылка резюме и контакты с агентствами по найму. Кто стучится, тому открывают. Правда, требуются огромное терпение и выдержка. Считается хорошим результатом 5 положительных откликов с предложением интервью по телефону или скайпу на 100 высланных анкет.

Обучение

Обучение не такой разорительный способ иммиграции, как бизнес-инвестиции. В Дании немало учебных заведений, принимающих иностранных студентов. Образовательный процесс организован на уровне лучших европейских ВУЗов. Можно претендовать на гранты или кредит под будущий диплом.

Однако придётся реально учиться и показывать достойные результаты, чтобы не отчислили. Невозможно отсидеть оплаченный курс, чтобы по окончании автоматом получить вид на жительство как приложение к диплому. К тому же придётся нести дополнительные расходы на питание, проживание, транспорт, социальное страхование и т. д.

Иммиграция через образование рекомендуется молодым людям со способностью к языкам и хорошими показателями в учёбе и спорте. По окончании ВУЗа необходимо продемонстрировать владение датским языком. Зато у выпускника высокие шансы найти работу и закрепиться в Дании. Многие студенты проходят стажировки в датских компаниях и начинают в них работать до выпуска из ВУЗа.

Воссоединение семьи

Практика воссоединения близких родственников существует во всех странах, Дания не исключение. Если один из членов семьи является гражданином Дании или легально в ней проживает, то его близкие могут претендовать на ВНЖ, чтобы съехаться и быть вместе.

Семейно-родственные отношения многогранны, поэтому в зависимости от ситуации каждый вопрос решается в индивидуальном порядке через подачу заявлений, собеседования, предоставления дополнительных документов к основному визовому пакету и т. д.

Брак

Датчане могут заключать браки с иностранцами, а их супруги получают право на ВНЖ с последующим оформлением гражданства.

Основная проблема - оправданная подозрительность властей. Им нужно убедиться, что брак не фиктивный. Молодожёнам придётся набраться терпения и спокойно пройти все проверки, тайные и явные, чтобы развеять сомнения и подтвердить намерение создать семью.

Ничто так не укрепляет отношения, как надзор иммиграционных служб.

Программы для беженцев

Дания - участник международных конвенций по защите прав беженцев. У неё есть программа по приёму и адаптации вынужденных переселенцев. Кроме того, часть беженцев поступает по квотам, устанавливаемым руководством ЕС для стран Евросоюза.

Иностранец, обратившийся на пограничном контроле с просьбой о статусе беженца, найдёт понимание. Его направят в лагерь, где обеспечат кровом, питанием и небольшим содержанием. Им будут заниматься специальные службы и активисты-общественники. В течение нескольких месяцев заявление на беженство будет рассматриваться датскими властями.

Если причины окажутся убедительными, не противоречащими датским законам, заявитель получит ВНЖ и пособие. Его передадут под заботу других служб для последующей социализации. В противном случае несостоявшийся претендент присоединится к тем, кого депортируют на родину или в ту страну, откуда он прибыл.

На беженство можно подавать в консульство по месту проживания. Успех зависит от того, сможет ли заявитель убедить консульских сотрудников, что подвергается опасности из-за своих убеждений или общественной деятельности. Нужно предоставить убедительные, задокументированные факты преследований и угроз ему и членам его семьи, чтобы необходимость гуманитарной защиты была очевидной.

Прожив в Дании 5 лет в статусе беженца, можно оформить ВНЖ, а через 3 года сменить его на ПМЖ. После 7 лет с ПМЖ иностранец получает право на гражданство. Путь долгий, но многие прошли успешно.

Зелёная карта Дании

Название похоже на грин-карту США, но ничего общего. У американцев проводится лотерея, у датчан целенаправленный поиск нужных обществу переселенцев с высоким уровнем образования и востребованными специальностями. Похожие программы есть у канадцев, австралийцев, новозеландцев.

Фактически это частный случай иммиграции через трудоустройство, но не когда работодатель нашёл для себя наёмного работника и обеспечивает его переезд. Здесь по разработанным и выверенным критериям ведётся отбор из массы заявителей.

В основе лежит балльная система, по каждому критерию начисляют определённое количество:

• за образование - от 30 бакалавру, до 50 магистру и 80 кандидату наук;
• за востребованность специальности - до 30 баллов;
• за выпуск из престижного ВУЗа, входящего в Топ-100 мировых - от 10 до 30;
• за знание языков - скандинавских - от 5 до 40, немецкого и английского - от 20 до 40 (по результатам тестирования);
• способности к адаптации в Европе (опыт и стаж проживания в ЕС) - 5–10 баллов.

Необходимо набрать не менее 100 баллов, чтобы заявление приняли к рассмотрению. Дополнительное требование - наличие средств для годового проживания в Дании. Одинокому потребуется 128 300 крон (примерно о 17 220 евро), на семью из двоих взрослых с детьми - 299 000 крон (40 100 евро).

Зелёная карта как форма ВНЖ выдаётся на год. При желании её продлить необходимо за 3 месяца до истечения срока действия подать прошение. К въехавшим в Данию по зелёной карте предъявляются определённые требования. Государственное агентство по труду лишь окажет информационное сопровождение и будет отслеживать доходы иностранца. Ему самостоятельно нужно решить вопросы проживания и работы. По окончании года он должен показать легальный заработок общей суммой не менее 50 000 крон (6 700 евро), иначе будет дисквалифицирован вплоть до исключения из программы «Зелёная карта».

Продержавшись 3 года в таких жёстких условиях, можно оформить ПМЖ, повысив свой статус и социальную защищённость.

Видео: законопроект об иммиграции

На что претендуют россияне

Все способы легального переезда в Данию доступны россиянам. Русская диаспора включает представителей всех категорий иммигрантов.

Только программы по приёму беженцев в силу сложных политических процессов в Европе и мире утратили былую привлекательность. Заявителям из России очень трудно доказать свои права на получение статуса беженца.

Всё остальное - бизнес, трудоустройство, брак, воссоединение семьи, учёба, зелёная карта - по-прежнему активно используется, чтобы уехать из России и укорениться в Дании. Они выбирают эту страну, чтобы жить, работать, воспитывать детей в спокойном, обеспеченном обществе с низким уровнем преступности и высокими стандартами потребления. Развитая, самостоятельная Дания, будучи членом ЕС, сохранила свою валюту и независимость от руководства ЕС в решении многих вопросов.

Видео: Дания. Что изменила во мне эмиграция?

Вид на жительство как первый шаг к переезду

Иностранец, въехавший по шенгенской визе, не может претендовать на ВНЖ. Ему придётся вернуться в свою страну и подать в консульство прошение о долгосрочной визе.

Само наличие долгосрочной (национальной) визы сроком 3–12 месяцев даёт право въехать, снять жильё, стать бизнесменом, студентом, наёмным работником или членом семьи лица, легально проживающего в Дании. Дальнейшая судьба в руках того, кто хочет влиться в общество и адаптироваться. Датские власти не любят иждивенцев и уважают тех, кто своим трудом доказывает способность не только содержать себя, семью, но поддерживать государство в качестве законопослушного налогоплательщика.

Если возникло желание иммигрировать в Данию, то первым шагом на этом пути будет оформление годового вида на жительство. Те, кто находятся в Дании, обращаются в территориальный офис иммиграционной службы. Пребывание за пределами страны не является преградой. В этом случае подают заявление в консульство. Визовый пакет включает в себя:

1. Заграничный паспорт.
2. Документы, свидетельствующие о цели переезда в Данию.
3. Анкета на предоставление вида на жительство.
4. Три фотографии размером 3,5 х 4,5 см, сделанные анфас на светлом фоне.
5. Справка об оплате консульских сборов.

Размер сбора - 1 430 DKK на одного человека, но оплачивается в рублях по курсу, принятому консульством. В настоящее время заявители платят 13 550 рублей.

У соискателей датского ВНЖ обычно возникают дополнительные расходы на услуги визового центра , курьерских служб, переводчиков и нотариусов. Общие траты заранее сложно рассчитать, они зависят от программы, что выбрал заявитель для переезда, состава его семьи и дополнительных документов, которые может затребовать консульство. С долей приближения можно ориентироваться на 5 000–10 000 р. с человека.

Дети до 12 лет освобождаются от консульской пошлины, до 6 лет - от большей части сервисных сборов. Несовершеннолетние до 18 лет получают ВНЖ вместе с родителями, если только сами не вступили в брак.

Для пенсионеров нет отдельных программ, но получение ВНЖ доступно на общих основаниях при воссоединении семьи. Если пенсионер осилит, ему возможны бизнес-иммиграция и трудоустройство.

От ВНЖ к ПМЖ

Пребывая в Дании, нужно продлевать вид на жительство ежегодно. Через три года появится право оформить разрешение на постоянное проживание (ПМЖ). Это не только изменение статуса. Иностранец с ПМЖ практически уравнен в правах с гражданином Дании, разве что не может избирать депутатов и быть избранным в органы власти.

Семь лет с ПМЖ без проблем с законом, при постоянном доходе и уплате налогов обеспечивают гражданство Дании, но для этого необходимо отказаться от гражданства своей страны. Двойное гражданство в Дании не предусмотрено.

Вопросами оформления ПМЖ занимается иммиграционный отдел государственной администрации (The State Administration), где у иностранца примут заявление и проконсультируют о требованиях по подготовке остальных документов.

Желающим иммигрировать в Данию следует определиться с решением. Датские власти рассматривают вопросы об ужесточении иммиграционных правил и повышении требований к заявителям на ВНЖ и ПМЖ. Несмотря на все сложности, существующие и планируемые, переезд в Данию по-прежнему привлекателен для россиян. А сам процесс вполне доступен для прохождения на каждой стадии натурализации.

07.08.2012

Сравнение четырех комплектов памяти для разгона.

За пять лет эволюции DDR3-памяти вышло уже несколько поколений продуктов, нацеленных на энтузиастов, стремящихся добиться максимальной производительности. Перед тем как приступать к рассмотрению возможностей современных модулей, давайте вспомним, как происходила эта эволюция.

Чтобы было понятно, о чем речь, приведем базовые понятия.

Частота работы памяти . Измеряется количеством тактов в секунду. Это основная характеристика, определяющая пропускную способность памяти.

Тайминги . Проще говоря, это задержки, необходимые для выполнения той или иной операции. Формула основных таймингов выглядит как CL-tRCD-tRP-tRAS-Command Rate, где CL (Cas Latency) – минимальное количество тактов между подачей команды на чтение данных и непосредственно началом чтения данных. Если рассмотреть память как двумерный массив, то tRCD (RAS to CAS delay) – это минимальное количество тактов между подачей сигнала на выбор строки и сигнала на выбор столбца. tRP (Row Precharge) - минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка. tRAS (Row Active Time) - минимальное время активности строки. Command Rate - минимальное время между подачей двух команд.

Чем выше частота работа памяти и чем ниже значения таймингов, тем производительнее память. Также стоит понять, что задержки измеряются в количестве необходимых для операции тактов, а частота работы есть не что иное, как количество тактов в секунду, т. е. при росте частоты временные значения таймингов уменьшаются. Именно поэтому повышение частоты сопряжено с необходимостью увеличивать значения таймингов.

А теперь о том, какие микросхемы были наиболее популярны в различные временные отрезки.

1. Изначально в продаже появилась память DDR3 на базе микросхем плотностью 512 Мбит, что давало объем 512 Мбайт для односторонних и 1 Гбайт для двусторонних модулей. Это было в 2008 г., и в основном энтузиасты ценили память на базе микросхем Micron D9GTR. Главное, что их отличало, – возможность работать с таймингами вида 6-5-5 при частотах вплоть до 1800 МГц или 7-6-6 при частотах вплоть до 2 ГГц. Кроме того, к особенностям можно отнести линейную зависимость результатов разгона от используемых напряжений, которые поднимались вплоть до значений 2,2--2,3 В. Данные микросхемы отошли на второй план с появлением платформы LGA 1156, где высокие напряжения питания памяти были критичными и могли приводить к деградации процессоров.

2. В конце 2009 г. начали массово появляться модули памяти на базе микросхем с плотностью в 1 Мбит, что позволило удвоить емкость модулей. Здесь пальму первенства перехватили микросхемы производства Elpida, а именно, Elpida MNH-E Hyper. Данные микросхемы позволили работать с частотами вплоть до 2200 МГц при агрессивных таймингах (вплоть до 7-8-7) и сравнительно небольших напряжениях. Интересно, что почти сразу после начала выпуска микросхем MNH-E массово появились случаи деградации памяти и ее выхода из строя. Эта проблема была разрешена выпуском обновленной версии микросхем, которую назвали MGH-E.

Дальнейший прогресс и снижение цен на память сделали популярными микросхемы «с неровными» сочетаниями таймингов, в основном, требующие завышения значения TRCD на две-три единицы относительно CAS и TRP. Здесь отличились Elpida BDBG и Elpida BBSE, а также несколько поколений микросхем Powerchip. Особенностью данной памяти является возможность работать на частотах 2200--2400 МГц при низких напряжениях и не слишком высоких таймингах. При этом прогресс не стоит на месте, и если раньше 2200 МГц достигались при таймингах вида 8-10-8 или 8-11-8, то сейчас особенно удачные модули могут обеспечивать и 2300--2400 МГц при 7-10-7/7-11-7. Данная память популярна и по сей день, микросхемы Powerchip и Elpida BBSE до сих пор являются основой всех «оверклокерских» двусторонних модулей объемом 2 Гбайт. Следует отметить, что с выходом процессоров Intel Sandy Bridge из-за плохой совместимости вышла из моды память на базе MGH-E.

3. 2011 г. ознаменовался началом массового выпуска памяти на базе микросхем плотностью 2 Мбит. Наиболее популярными стали модули, имеющие объем 4 Гбайт. Здесь выбор микросхем невелик, наиболее распространенной стала продукция производства Samsung и Hynix. В способностях использовать агрессивные значения таймингов данная память уступает микросхемам плотностью 1 Мбит, но превосходит их в умении работать на высоких частотах. Кроме того, особенностью этой памяти является работоспособность при низких напряжениях. В общем, микросхемы Samsung предпочтительнее в диапазоне частот до 2400 МГц, в то время как на микросхемах Hynix уже встречается память, штатно функционирующая на частоте 2800 МГц. Один из таких комплектов даже будет участвовать в данном тестировании. А еще среди модулей объемом 4 Гбайт следует отметить микросхемы Micron D9PFJ, способные разгоняться на уровне старых D9GTR. Причем для хорошего разгона требуется напряжение питания около 2 В. Также данная память независимо от таймингов «упирается» в частоту 2150--2200 МГц. В настоящее время начинают появляться микросхемы плотностью 4 Мбит, однако они пока не отличаются высоким частотным потенциалом.

В нашем тестировании будут участвовать четыре современных комплекта высокочастотной памяти, а именно два 2-Гбайт Kingmax Hercules Nano DDR3-2400 на базе микросхем Powerchip, два 4-Гбайт G.Skill Trident X DDR3-2400, два 4-Гбайт Corsair Dominator GT DDR3-2133 на основе микросхем Samsung и два 2-Гбайт Kingston HyperX DDR3-2800, построенных на микросхемах Hynix.

Тестовый стенд и методика тестирования

Для изучения частотного потенциала были выбраны платформа AM3+, системная плата Asus M5A99X Evo и процессор AMD FX-8150. Как выяснилось в процессе тестирования, максимальная частота работы памяти, доступная связке «системная плата - процессор», оказалась на уровне 2637 МГц. Это недотягивает до максимальных способностей комплекта Kingston, но все же перекрывает весь диапазон «потребительских» частот, достижимых с процессорами, не подвергающимися селекции.

Проверка частотного потенциала производилась для трех значений напряжения питания: 1,5 В – стандартное значение напряжения питания памяти, установленное спецификациями JEDEC; 1,65 В – значение напряжения большинства «оверклокерских» комплектов памяти; и 1,8 В – значение, близкое к предельно допустимому для современной памяти типа DDR3. В качестве теста стабильности был применен Prime95 в режиме Blend, наиболее быстро выявляющий нестабильность в работе ОЗУ. Проверка на стабильность производилась в течение 5--10 мин.

Kingmax FLLE85F-B8KJ9A FEIS

Данный комплект не имеет радиаторов системы охлаждения, однако, по заверениям Kingmax, на микросхемах используется специальное напыление, существенно улучшающее отвод тепла. Верить производителю или нет, вопрос спорный. На мой взгляд, достаточно одного факта – на модулях имеются наклейки с характеристиками, которые перекрывают сразу по три микросхемы. Следовательно, тепло от них не отводится вовсе. Однако микросхемы Powerchip горячим нравом не отличаются, и если не «жарить» их напряжениями 1,8 В+, то и проблем возникать не должно.

Упрощенно, многие считают оптимальной формулу таймингов вида X (X+3) X, т. е. когда CL=TRP, а значение TRCD завышено на три единицы. На самом же деле, проблема разгона Powerchip кроется не в наличии оптимальных или неоптимальных формул таймингов, а в различном частотном потенциале памяти для каждого из них. К примеру, зависимость CL от напряжения в диапазоне от 1,5 до 1,8--1,85 будет линейная, и удачные модули характеризуются значением частоты 1400 МГц/В для CL7, т. е. от приблизительно 2100 МГц при 1,5 В до примерно 2500 МГц при 1,8 В. Частотный потенциал по TRCD с ростом напряжения обычно изменяется не так сильно, как в случае с CL, и для разных частот нужны разные значения. Так, для CL равного 9 в зависимости от удачливости комплекта доступны частоты 1950--2100 МГц, для 10 - частоты 2200--2350 МГц и для 11 - частоты 2400--2600 МГц. А если разгон упирается в CL или TRCD, то наблюдается минимальная разница между частотой стабильной работы и максимальной «скриншотной» частотой. Особняком стоит тайминг TRP, который на удачных комплектах можно держать на одинаковом с CL значении вплоть до частот 2600 МГц+. В случае же с неудачными модулями TRP приходится завышать на одну или даже две единицы. Если же разгон ограничивается значением TRP, то появляется очень большая разница между значением «скриншотной» частоты и частоты полностью стабильной работы, иногда достигающая даже 500 МГц.

Как видно на графике, в комплект Kingmax попали не слишком удачные микросхемы, иначе говоря, просто не повезло. Если оценивать разгон по CL, то показатели в целом неплохие, ведь в итоге с CL7 удалось достичь частоты работы памяти 2360 МГц. В то же время комплект оказался неудачным по значению TRCD и еще более неудачным по значению TRP, что показали результаты при таймингах вида 7-10-8, 7-11-8 и 7-11-9. Интересно отметить, что при таймингах вида 7-11-7 и напряжении питания 1,65 В частота стабильной работы составляет всего 1967 МГц, в то время как Windows можно загрузить и при частоте работы памяти 2400 МГц. Реакция на недостаточное значение TRP проявляется в полной мере. Также показателен режим 7-10-8, демонстрирующий, что память не любит высоких напряжений, когда разгон ограничивается значением TRCD.

При «родных» для комплекта таймингах 9-11-9 видно, что частотный потенциал памяти падает при росте напряжения свыше 1,65 В, что свидетельствует о слишком низком значении TRCD. К слову, свои штатные 2400 МГц память способна взять при напряжении питания 1,65 В, но не сможет при напряжении питания 1,7 В, штатном для модулей. Следовательно, при установках согласно штатным характеристикам память нестабильна. Интересно, что разгон модулей при таймингах 8-11-9 и 7-11-9 совпадает, и от CL8 есть хоть какая-то польза лишь при таймингах 8-12-10. Также минимален прирост частоты при переходе на CL9/CL10/CL11, а максимальной достигнутой частотой является 2480 МГц.

Kingston KHX2800C12D3T1K2/4GX

Эта память оснащена высокими радиаторами, и хотя микросхемы расположены лишь с одной стороны модуля, они закрывают модуль с обеих сторон.

Если учитывать холодный характер современной памяти, то такие радиаторы представляют собой, скорее, декоративное решение, способное привести к проблемам совместимости с крупными процессорными охладителями. Используются микросхемы производства Hynix, которые, в отличие от Powerchip, ведут себя куда более предсказуемо и логично. Для наиболее полного раскрытия частотного потенциала памяти на микросхемах Hynix используется формула таймингов вида X (X+2) (X+1), т. е. когда TRCD завышен относительно CL на две единицы, а TRP - на одну. Кроме того, одной из особенностей памяти, основанной на микросхемах Hynix, является слабый отклик на увеличение напряжения питания свыше 1,65 В.

Результаты разгона для микросхем Hynix неплохие, комплект относительно удачный. Об этом свидетельствует возможность работать при таймингах 9-11-10 на частотах вплоть до 2312 МГц. При таймингах вида 12-14-13 и выше ограничивает разгон связка «процессор - системная плата».

G.Skill F3-2400C10D-8GTX

Как и в случае с модулями Kingston, комплект G.Skill, несмотря на низкое тепловыделение микросхем, оснащен высокими радиаторами.

Используются микросхемы Samsung, максимально предсказуемые при разгоне, как и в случае с Hynix. Они имеют оптимальные формулы таймингов. Но, в отличие от Hynix, для микросхем Samsung используется две различные формулы таймингов: X (X+1) (X+1), оптимальные при низких напряжениях, и X (X+2) (X+2), оптимальные при высоких.

Как видно из графика, в диапазоне частот 2000--2500 МГц более предпочтительна память на базе микросхем компании Samsung, нежели на микросхемах Hynix, поскольку она позволяет достигать тех же частот при меньших значениях таймингов, особенно если рассматривать режимы работы с низкими напряжениями. А вот после 2500 МГц память на микросхемах Samsung уже не слишком хороша. Дальнейшее увеличение таймингов не привело бы к значительному росту частотного потенциала, даже если бы разгон не сдерживался используемой платформой. Помимо того, следует отметить наличие запаса по частоте, превышающего 100 МГц, при использовании штатных характеристик (10-12-12, 1,65 В), что является редкостью для «оверклокерской» памяти.

Corsair CMT8GX3M2B2133C9

Если у Kingston и G.Skill все же имеются высокие радиаторы, то в Corsair пошли еще дальше, обеспечив модули памяти активным охлаждением с омощью

двух вентиляторов.

.

Понятно, что пользы от этого никакой (особенно с учетом штатного напряжения памяти в 1,5 В), зато внешний вид модулей самый грозный. К слову, о внешнем виде. На этикетке с характеристиками указана формула таймингов 9-11-9, хотя в XMP-профиле написана формула 9-11-10. Разумеется, при 2133 МГц и 9-11-9 память даже не стартует. Как и в случае с комплектом G.Skill, используются микросхемы Samsung, так что от модулей можно ожидать схожего поведения.

Данный комплект чуть более удачный, чем G.Skill, хотя с увеличением напряжений и таймингов разница все же стирается. Основное превосходство комплекта Corsair проявляется при таймингах 8-9-9 и 8-10-10. Кстати, частотный потенциал памяти при штатных таймингах (9-11-10) совпадает с потенциалом памяти при 9-10-10. Следовательно запас по частоте со штатными характеристиками превышает 100 МГц.

Тестирование производительности

Для исследования производительности мы использовали следующие тесты: wPrime 1.55 (режимы 32M и 1024М), Super Pi 1.5 (режим 1M), WinRar (встроенный тест производительности), 7-Zip (встроенный тест производительности), Cinebench R10 (тест CPU), Cinebench R11.5 (тест CPU) и тесты памяти из программного комплекса Aida64.

Базовые настройки системы:

частота работы процессора - 4503 МГц (19x237), контроллера памяти - 2607 МГц.

Тестирование производилось для частот работы памяти 2528, 2212 и 1896 МГц при минимально доступных для каждого из комплектов памяти таймингах. Показатели комплектов Corsair и G.Skill объединены, ибо результаты их разгона практически идентичны. Память Kingmax тестировалась только при частотах 2212 и 1896 МГц, поскольку работать при частоте 2528 МГц не способна.

По результатам измерений производительности прежде всего выделяется комплект Kingmax. Несмотря на свое невезение с одним конкретным модулем, он лидирует в большинстве тестов. Память на базе микросхем Samsung и Hynix показала приблизительно одинаковые результаты. Однако следует отметить провал комплекта Kingston в тесте производительности WinRar. Это, скорее всего, было обусловлено односторонней компоновкой модулей с восемью микросхемами, а не с шестнадцатью, как у всех остальных участников тестирования.

Итоги

Пока еще пальма первенства в тестах производительности остается за памятью на микросхемах плотностью 1 Мбит. Однако за более высокий частотный потенциал при агрессивных значениях таймингов зачастую приходится расплачиваться непредсказуемостью поведения модулей, а также отсутствием каких-либо универсальных формул таймингов. Полной противоположностью можно назвать память на основе микросхем Samsung и Hynix. Разгонять их несложно, память максимально предсказуема, однако предельные возможности данной памяти все же выше. Если выбирать между Hynix и Samsung, то в большинстве случаев предпочтительнее будет выглядеть память на базе микросхем Samsung, т.е. среди испытуемых комплектов - Corsair и G.Skill.

Ассортимент частот DDR3 раскрылся намного раньше, чем у DDR2, поскольку модули DDR3 с частотами 1066, 1333 и 1600 МГц (DDR) уже появились на рынке, и призваны заменить память DDR2 на 533, 667 и 800 МГц (DDR). Как и в случае DDR2, есть более высокие, "нестандартные" частоты, но они нацелены на энтузиастов, а не на массовый рынок. В нашем обзоре мы рассмотрим модули, которые работают на "массовых" скоростях DDR3, поскольку память на 1333 МГц (DDR) как раз попадает посередине между "бюджетной" (1066 МГц) и high-end (1600 МГц). Всего мы пригласили к участию 13 разных компаний, и восемь из них выслали свою память для нашего тестирования.

Как и в предыдущих тестах памяти, мы разогнали каждый набор до предела стабильности, чтобы найти порог производительности. Но перед тем как мы перейдём к рассмотрению модулей DDR3, давайте поговорим об этом рынке. Какие преимущества имеет новая память перед DDR2? Почему она была представлена? И когда новая технология выходит на рынок по немалой цене, стоит ли тратить на неё деньги?

Что в имени тебе моём?

"Официальное" название памяти DDR базируется на её пропускной способности, а не на тактовой частоте. Простой способ преобразовать её эффективную частоту в пропускную способность - умножить на восемь. Так, DDR-400 называется PC-3200, DDR2-800 - PC2-6400, а DDR3-1600 - PC2-12800.

Объяснить подобную математику очень просто: модули ПК на основе технологии SDRAM подключаются по 64-битной шине; в байте восемь битов, а 64 бита эквивалентны восьми байтам. Например, DDR2-800 передаёт 800 мегабит в секунду по одной линии; 64 линии обеспечивают одновременную передачу восьми битов, и если 800 умножить на восемь как раз и будет 6 400.

Но есть проблема округления, которая впервые появилась с DDR-266 (PC-2100). Эффективная частота передачи 266 МГц на самом деле составляет 266,(6) (шесть в периоде) МГц, поэтому на самом деле пропускная способность составляет 2 133 Мбайт/с.

Сегодня память DDR3-1333 даёт пиковую пропускную способность 10 666 Мбайт/с, которую по желанию производителя можно округлить вниз до PC3-10600, вверх до PC3-10700 или оставить как PC3-10666.

Покупатели, которые планируют выбрать память из нескольких наборов DDR3-1333, должны обращать внимание на все три названия, хотя большинство производителей маркирует свои модули DDR3-1333 как PC3-10600 или PC3-10666.

Грядущая пропускная способность... сегодня!

Часто в качестве аргумента приводят то, что память DDR2 достаточно быстра для современных процессоров, поскольку самая скоростная нынешняя системная шина Intel FSB (Front Side Bus) работает на эффективной частоте 1 333 МГц. Нужна ли при такой частоте 1 333-МГц память? Если ответить кратко, то нет.

Intel ещё со времён появления RDRAM на первых Pentium 4 использует двухканальную память, у которой ширина шины памяти удваивается, так как даже тогда невозможно было найти память, которая работала не медленнее FSB. Самые первые Pentium 4 использовали 64-битную шину FSB с эффективной частотой 400 МГц ещё до появления DDR-400, но два 64-битных модуля DDR-200 (PC-1600) были для такой FSB достаточны, если удвоить ширину шины памяти до 128 битов... Если бы тогда был чипсет DDR SDRAM для Pentium 4. Двухканальная технология с тех пор сохранилась, и FSB1333 как раз соответствует по пропускной способности двум модулям DDR2-667 (PC2-5300) в двухканальном режиме.

Ещё один аргумент заключается в "синхронной" работе памяти по отношению FSB CPU: многим кажется, что память DDR3-1333 синхронно работает с FSB-1333. Однако это не так. Intel использует технологию учетверённой передачи за такт QDR (Quad Data Rate) для FSB, а память - технологию удвоенной передачи DDR (Double Data Rate). FSB-1333 работает на физической тактовой частоте 333 МГц, что соответствует памяти DDR2-667.

Да, некоторые пользователи замечают небольшой прирост производительности от работы памяти с множителем до 1,5x по отношению к частоте FSB CPU, нарушая принцип синхронной работы. Собственно, именно поэтому память DDR2-667 стала популярной ещё до появления Intel FSB-1333, и именно поэтому память DDR2-800 хорошо покупают даже те, кто не планирует заниматься разгоном.

Пусть многим сборщикам уже некоторое время ничего не нужно, кроме недорогих модулей DDR2, но память DDR3 имеет два ключевых преимущества. Во-первых, максимальная плотность памяти у чипов была расширена до 8 Гбит, что даёт для 16-чипового модуля ёмкость 16 Гбайт. Во-вторых, напряжение питания по умолчанию было снижено до 1,50 В по сравнению с 1,80 В у DDR2, что даёт 30% снижение энергопотребления при равных тактовых частотах.

Покупать или нет?

Одним из важных аргументов в пользу памяти DDR3 является постепенное движение чипсетов Intel в этом направлении. Компания впервые добавила поддержку DDR3 в качестве опции у северного моста чипсета P35 Express, да и рынок DDR3 затем был и далее расширен с появлением новых чипсетов DDR3. Производители материнских плат попытаются собрать все сливки с энтузиастов, первыми внедряющих новые технологии, поэтому большинство плат на очень дорогом чипсете X48 наверняка будет поддерживать последний стандарт памяти. Между тем DDR3 будет постепенно спускаться и до "бюджетного" рынка.

Последние технологии всегда достаются недёшево, а памяти DDR2 хватает для большинства систем, так зачем беспокоиться? Intel, скорее всего, будет готовить рынок настольных ПК к следующему крупному шагу, в частности, перенеся контроллер памяти с чипсета на сам процессор. Как и у текущих процессоров AMD, этот шаг убирает ограничения по пропускной способности FSB и позволяет будущим процессорам получать данные с такой же скоростью, с которой они будут передаваться из памяти.

Покупатель сам вправе решать, нести ли ему бремя продвижения новых технологий в массы. Многие всё ещё помнят, как память RDRAM совершенно зря насаждалась для чипсетов Pentium III, тех же i820 и i840, по мере того, как Intel готовила чипсет i850 для Pentium 4 с такой же памятью. План Intel заключался в расширении доступности памяти RDRAM к моменту, когда она действительно потребуется, но рынок среагировал негативно. Впрочем, сходства с продвижением DDR3 на этом заканчиваются, поскольку Intel не продвигает насильно память на рынок, а предоставляет подобную опцию для прироста производительности.

Впрочем, не нужно думать, что память DDR3 на текущих частотах FSB у Intel так уж бесполезна, ведь существенно выросшие частоты позволяют хорошо разгонять FSB. FSB-1600 (физическая частота 400 МГц) появится в ближайшее время, и если требуется разогнать 2,80-ГГц процессор с FSB1600 (400 МГц FSB x7) до 4,20 ГГц (600 МГц FSB x7), то потребуется память, способная работать на эффективной частоте 1 200 МГц (физическая частота 600 МГц). DDR2-1200 встречается редко, так как эта память требует чрезмерного подъёма напряжения, хорошего охлаждения и молитв пользователя, что она не "умрёт", поскольку это просто разогнанные модули DDR2-800.

Поэтому, пока большинство сборщиков систем на Core 2 сравнивают цены DDR2-800 с разными моделями DDR3, оверклокеры рассматривают DDR3-1333 как более скоростную, дешёвую и надёжную альтернативу DDR2-1200. Более того, по мере продвижения DDR3 на массовый рынок, оверклокеры с более ограниченным бюджетом тоже к ним присоединятся.

Частота против задержек: мифы и факты

Существует миф, что каждый новый формат увеличивает время отклика. Этот миф основан на методе, которым измеряются задержки (тайминги): по времени такта.

Рассмотрим задержки трёх последних форматов памяти: память DDR-333 для верхнего сегмента массового рынка работала с задержками CAS 2; схожая по позиционированию память DDR2-667 - с CAS 4, и современная память DDR3-1333 - с CAS 8. Большинство пользователей будут удивлены, узнав, что столь различающиеся задержки CAS на самом деле дают одинаковое время отклика, а именно, 12 наносекунд.

Дело в том, что время такта (период) обратно пропорционально тактовой частоте (1/2 от эффективной частоты DDR). У DDR-333 время такта составляет шесть наносекунд, у DDR2-667 - три наносекунды, а у DDR3-1333 - 1,5 нс. Задержка измеряется в тактах, и два 6-нс такта по времени длятся столько же, сколько четыре 3-нс или восемь 1,5-нс. Если у вас ещё остались сомнения, посчитайте сами!

Многие, не очень вдумчивые покупатели считают, что более скоростная память реагирует медленнее, но из приведённых примеров очевидно, что это не так. Проблема заключается не в том, что время отклика становится меньше, а в том, что оно не становится быстрее! Когда мы смотрим на астрономические частоты, то надеемся, что в результате система станет более отзывчивой. Однако за последние годы задержки памяти, увы, ощутимо не изменились.

Мы всё же надеемся найти действительно быстрые модули, поэтому наши тесты включают как проверку максимальных частот, так и минимального времени отклика. Всё это - при сохранении стабильности системы.

Но что значат эти числа?

Итак, задержки измеряются в тактах, а не в секундах, но что они означают? Большинству покупателей мы рекомендуем смотреть только на первые четыре значения, которые приведены в порядке значимости, например, 9-9-9-24 в случае высокоскоростных модулей DDR3. Обычно задержки называются CAS Latency (tCL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge Time (tRP) и Active Precharge Delay (tRAS).

10 комплектов для выбора

Большинство из 13 производителей памяти, с которыми мы связались, пожелали участвовать в наших сводных тестах, но несколько компаний пока не производят память DDR3 с эффективной частотой 1 333 МГц. Некоторые полностью игнорируют массовый рынок, фокусируясь на "бюджетных" моделях DDR3-1066 и экстремальных DDR3-1600. Единственная компания, которая производит модули, но не успела к установленному сроку, - Team Group. Из восьми компаний, которые участвуют в наших тестах, OCZ и Kingston выслали по паре комплектов, что говорит о широком ассортименте этих компаний.

Aeneon X-Tune DDR3-1333

Если вы никогда не слышали о компании Aeneon, вы не одиноки. Это новая розничная торговая марка Qimonda. Если же и последнее название вам ничего не говорит, то, вероятно, по причине того, что так называется бывшее подразделение по производству памяти Infineon. Опытные сборщики должны быть наверняка знакомы с памятью Infineon и её репутацией качества и надёжности.

В то время как другие производители пытаются выбрать, называть свою память PC3-10600 или PC3-10666, Aeneon решила оставить этот спор и назвать свою память по эффективной частоте, а не по пропускной способности. Ведь многие сборщики обращают внимание, прежде всего, на частоту, а не на пропускную способность.

Модули продаются под модельным номером AXH760UD00-13G. В комплект поставки входят два 1-Гбайт модуля DDR3-1333 с заявленной физической частотой 667 МГц и задержками 8-8-8-15 при напряжении по умолчанию 1,50 В. Самое близкое значение в таблице SPD - 8-8-8-24. Если вы хотите, чтобы модули X-Tune работали с заявленными задержками, то следует войти в BIOS и вручную снизить задержку tRAS с 24 до 15 тактов.

Значения SPD с низкой частотой 416 МГц (DDR3-833) гарантируют, что системы с низкой частотой FSB загрузятся на автоматической конфигурации, и Aeneon решила подняться на одну ступень выше, предоставив профиль на 750 МГц. Для процессоров с FSB1066 будет полезен режим 500 МГц с множителем памяти 3:2 DRAM:FSB, однако профиль на 533 МГц (DDR3-1066) был бы полезнее для автоматической настройки большего числа конфигураций.

G.Skill PC3-10600

Компания G.Skill заслужила весьма достойную репутацию среди энтузиастов с ограниченным бюджетом, потому что она предлагает высокоскоростную память по стандартным розничным ценам. В случае DDR3-1333 мы обнаружили, что память продаётся по ценам топовых модулей DDR3-1066.

Но принадлежность к "недорогим производительным" модулям вовсе не говорит о том, что придётся идти на компромиссы. G-Skill неплохо поработала, модули оснащены распределителями тепла, а по качеству упаковка может потягаться с более дорогими моделями. Под номером F3-10600CL9D-2GBNQ скрывается набор из двух 1-Гбайт модулей DDR3-1333 со стандартными задержками 9-9-9-24 при напряжении по умолчанию 1,50 В. Память, как указывается, может работать на любом напряжении от 1,50 до 1,60 В, что позволит её разогнать.

Значение SPD для физической частоты 667 МГц (DDR3-1333) оказалось вполне ожидаемым, но режимы на 592 и 444 МГц показались нам несколько странными. Но мы протестировали модули на разных материнских платах и можем подтвердить, что режим на 592 МГц (DDR3-1184) работает при необходимости и как DDR3-1066.

Если вам требуется заставить работать модули G.Skill PC3-10600 выше штатных значений, то придётся использовать ручную настройку.

Kingston ValueRAM PC3-10600

Kingston, вероятно, наиболее ориентированный на массовый рынок производитель из нашего обзора, он предлагает полную линейку модулей, от ничем не примечательных до весьма любопытных. Компания предоставила нам два комплекта с одинаковыми частотами, при этом ValueRAM PC3-10600 относится к классу "стандартной производительности".

Модули выглядят весьма скромно, но Kingston указала для модулей KVR1333D3N8/1G весьма производительные задержки 8-8-8-24 на штатном напряжении материнской платы 1,50 В. Два 1-Гбайт модуля обеспечивают двухканальный набор, именно поэтому компания выслала нам пару DIMM.

Значения SPD для частот 667, 583, 500 и 416 МГц обеспечивают автоматическую настройку для памяти DDR3-1333, DDR3-1066, DDR3-1000 и DDR3-800, с небольшим потенциалом разгона в режимах на 416 и 583 МГц.

Поскольку для всех режимов памяти есть настройки SPD, то вручную выполнять конфигурацию не требуется.

Kingston HyperX PC3-11000

В линейку Kingston HyperX входят модули, которые превосходят возможности стандартных компонентов. Так, набор PC3-11000 заявлен для работы на частоте 1 375 МГц. Однако это значение очень близко к стандартной 1 333 МГц, что позволило нам считать их просто улучшенными DIMM DDR3-1333.

В набор KHX11000D3LLK2/2G входят два 1-Гбайт модуля с синими распределителями тепла, с заявленными задержками при напряжении 1,70 В. Нестандартное напряжение требует ручной настройки в BIOS, и по умолчанию модули работают в медленном режиме 533 МГц (DDR3-1066), чтобы обеспечить загрузку на штатных 1,50 В.

На самом деле значение SPD для DDR3-1333 не присутствует в таблице HyperX, самой высокой 1,50-В настройкой является 609 МГц на CAS 8. Поскольку штатно модули работают с заявленными задержками на меньшей тактовой частоте, придётся вручную поменять частоту и напряжение в BIOS материнской платы.

Режим SPD 457 МГц будет полезен для автоматической конфигурации DDR3-800 при использовании процессоров FSB800, а 533-МГц значение DDR3-1066 работает для процессоров FSB1066, FSB1333 и FSB1600.

Mushkin Enhanced EM3-10666

За последние годы Mushkin сместила акцент с "экстремальной производительности" на "абсолютную стабильность". Хотя компания продолжает свои усилия по выпуску высокоскоростных модулей. А что ещё нужно энтузиасту, кроме стабильности и скорости?

В отличие от многих предыдущих продуктов Mushkin, набор 996583 из двух 1-Гбайт модулей заявлен на частоте DDR3-1333 с весьма скромными задержками 9-9-9-24 при напряжении по умолчанию 1,50 В. Такой режим DDR3-1333 задан в SPD, поэтому память автоматически заработает с процессором FSB1333.

Другие значения SPD включают 444 и 518 МГц, которые в BIOS распознаются как DDR3-800 и DDR3-1000. Опять же, большинству пользователей нормальный режим DDR3-1066 подошёл бы лучше, чем странный DDR3-1036, поскольку система с DDR3-1066 по умолчанию будет использовать медленные задержки SPD для DDR3-1333.

OCZ PC3-10666 Platinum Edition

Подобно Kingston, OCZ желает охватить как можно больший рынок DDR3-1333, предлагая несколько модулей. Но, в отличие от Kingston, "младший" набор от OCZ относится к среднему уровню, обеспечивая те же самые задержки CAS 7, что и high-end модули конкурента.

Да, на рынке можно найти комплект Gold от OCZ ещё дешевле, но линейка Platinum Edition для массового рынка даёт задержки 7-7-7-20. Это не просто заявленные задержки, для активации которых необходимо вручную копаться в BIOS, они прописаны в SPD комплекта OCZ3P13332GK из двух 1-Гбайт модулей.

Но вот здесь есть некоторая странность: модули OCZ Platinum должны работать на полной производительности при напряжении 1,70 В, а в таблице SPD упомянутые задержки приведены для 1,50 В. OCZ - одна из тех компаний, кто поставлял модули, с которыми некоторые системы не загружались, поскольку значения SPD были слишком жёсткими для работы на штатном напряжении материнской платы (1,50 В для DDR3).

Хорошая новость в том, что наши модули работали стабильно при указанных задержках, нам не пришлось вручную поднимать напряжение со штатных 1,50 В до рекомендованных OCZ 1,70 В. Это верно для обеих материнских плат Gigabyte и Asus.

Значение SPD 761 МГц (DDR3-1522) с задержками 8-8-8-23 обеспечивает потенциал разгона для тех оверклокеров, кто не знаком с ручным выставлением режимов памяти, а значения SPD 571 и 476 МГц переходят в DDR3-1066 и DDR3-800 для процессоров с меньшей частотой FSB.

OCZ PC3-10666 ReaperX HPC Enhanced Bandwidth

Если вас впечатлили модули OCZ Platinum Edition для среднего рыночного сегмента, работающие с теми же задержками, что high-end версии некоторых конкурентов, то вы наверняка будете ещё больше заворожены заявленными задержками для линейки ReaperX. Оснащённые радиатором на двух тепловых трубках, модули ReaperX заявлены на эффективную частоту 1 333 МГц с задержками CAS 6.

Задержки CAS 6 звучат впечатляюще, но память ими не ограничивается. Поддерживается режим 6-5-5-18, который быстрее 6-6-6-x, обычно понимаемого под названием "CAS 6". Немалую роль играет сложная система охлаждения, поскольку для работы DDR3-1333 с задержками 6-5-5-18 напряжение нужно увеличить до 1,85 В.

Однако для работы модулей ReaperX на заявленном уровне нужно войти в BIOS и вручную установить частоту, задержки и напряжение. Но это можно простить модулям с экстремальной производительностью, поскольку целевая аудитория явно знакома с настройкой BIOS. Но у начинающих оверклокеров могут возникнуть проблемы.

Даже в 533-МГц режиме SPD (DDR3-1066) модули ReaperX OCZ3RPX1333EB2GK используют задержки 6-5-5-20 вместо 6-5-5-18, но, по крайней мере, автоматическая конфигурация DDR3-1066 гарантирует стабильную первую загрузку до ручных правок настроек BIOS.

В SPD отсутствуют значения для DDR3-1333, вместо них используется непривычный режим DDR3-1244 на физической частоте 622 МГц, есть и DDR3-1422 на 711 МГц. Но ни одна из наших материнских плат не стала использовать задержки DDR3-1422 для режима DDR3-1333 по умолчанию на процессоре FSB1333, а снизила частоту модулей ReaperX до DDR2-1066 автоматической конфигурации. CPU-Z указывает, что, вероятно, причиной такого поведения можно считать электронную маркировку модулей PC3-8500 вместо PC3-10700.

PDP Patriot Extreme Performance PC3-10666 Low Latency

PDP Patriot выслала нам комплект PDC34G1333LLK, у которого LLK в конце модельного номера обозначает двухканальный набор с низкими задержками. Он обеспечивает те же задержки CAS 7, что high-end модули Kingston HyperX и память OCZ Platinum Edition среднего уровня, однако здесь мы встретили то, чего не было в других комплектах: 4 Гбайт ёмкости. Хотя сегодня многие компании предлагают 4-Гбайт наборы своим клиентам, только Patriot решилась выслать нам такой комплект для тестов разгона и минимальных задержек.

Решение компании Patriot предоставить нам модули с высокой ёмкостью для тестов разгона говорит о немалой степени уверенности в их характеристиках, поскольку добиться стабильной работы модулей с большей ёмкостью труднее. Подобно Kingston и OCZ, компания указала, что сборщикам системы нужно войти в BIOS и поднять напряжение DIMM с 1,50 до 1,70 В, после чего можно вручную выставлять заявленные настройки DDR3-1333 7-7-7-20.

На самом деле значений для DDR3-1333 в SPD нет, но задержки 7-7-7-20 указаны для работы в режиме DDR3-1066 (физическая частота 533 МГц) на штатном напряжении 1,50 В. Впрочем, для пользователей, знакомых с BIOS, указать нужный режим не составит труда.

В SPD есть режим на 457 МГц (DDR3-914), который позволяет владельцам процессоров с FSB800 автоматически выставить память в DDR3-800 до каких-либо ручных изменений в BIOS.

Поскольку больше значений для DDR3 в SPD не предусмотрено, наша память на обеих материнских платах Gigabyte и Asus штатно заработала в режиме DDR3-1066 с процессорами FSB-1333 и FSB-1600.

Super Talent PC3-10600 CL8

Эта компания известна модулями с экстремальными возможностями, поэтому от комплекта двух 1-Гбайт DIMM Super Talent W1333UX2G8 мы ждали многого.

Ранее Super Talent выпустила модули DDR3-1600, способные разгоняться выше отметки 2 ГГц ещё до того, как большинство конкурентов представили DDR3-1333. С другой стороны, средние задержки 8-8-8-18 и весьма высокое напряжение 1,80 внушают не очень много энтузиазма по поводу моделей среднего уровня. Только тесты покажут, соответствуют или нет DIMM репутации Super Talent по высокой степени разгона.

В таблице SPD у Super Talent нет режимов DDR3-1333 (физическая частота 667 МГц), электронная маркировка модулей составляет DDR3-1066. То есть в большинстве конфигураций память будет настроена на режим DDR3-1066.

Super Talent - единственная компания в нашем тестировании, которая добавила расширения Intel XMP SPD, которые работают подобно профилям EPP (Enhanced Performance Profiles), знакомым энтузиастам материнских плат на DDR2, когда память автоматически настраивалась в режим с повышенным напряжением и увеличенной частотой. В данном случае Super Talent позволяет автоматически разгонять модули DDR3-1333 до DDR3-1600 при очень высоком напряжении 2,00 В.

Wintec AMPX PC3-10600

Компания Wintec Industries известна, по большей части, OEM-производителям. Однако она уже несколько продуктовых циклов производит высокоскоростную линейку AMPX и надеется, что сможет завоевать доверие энтузиастов и оверклокеров с ограниченным бюджетом. Компания выслала нам пару последних 1-Гбайт модулей AMPX PC3-10600.

Заявленные задержки составляют 9-9-9-24 при штатном напряжении 1,50 В, то есть пара гигабайтных модулей 3AHX1333C9-2048K подразумевает самостоятельные усилия по разгону, но, в отличие от более дорогих DIMM, память не валидирована под какие-либо скоростные режимы.

На самом деле у Wintec AMPX PC3-10600 даже нет в SPD режимов выше DDR3-1066, а сами модули электрически заявлены как менее скоростные. Поэтому после сборки системы нужно вручную настроить частоту и задержки, пусть даже модули заявлены на работу в режиме DDR3-1333 на штатном напряжении.

Вообще, странно, что заявленного режима нет в таблице SPD. Возможно, это будет сделано позднее, у более новых партий DIMM.

Сравнение задержек SPD

Хотя ниже в тесте "минимально стабильных задержек" мы приведём минимальные тайминги при повышенном напряжении, мы решили дать таблицу значений SPD, которая ясно показывает, на какой рынок ориентированы те или иные модули.

Aeneon и OCZ указали профили SPD, превышающие заявленные спецификации, а профили Intel XMP у памяти Super Talent обеспечивают автоматический разгон памяти. Kingston и PDP Patriot нацелились на аудиторию, предпочитающую низкие задержки, а OCZ "выстрелила" по обоим рынкам со своими двумя наборами.

Тестовая конфигурация: разгон памяти

Цена на DDR3 по-прежнему не опустилась до уровня массового рынка, и сегодня одной из основных причин покупки относительно дорогой памяти DDR3 является разгон, который не упирался бы в частоту памяти. Конечно, можно заплатить астрономические суммы за DDR3-1800 или даже более скоростную память для оверклокеров, но мы всё же хотели посмотреть, на что способны менее дорогие комплекты.

Сегодня появляются новые комплектующие, но лучшими платами для разгона являются модели на основе чипсета Intel P35, в то же время, процессоры Core 2 Duo выдерживают ощутимо более высокую частоту шины, чем Core 2 Quad. Поэтому мы собрали систему таким образом, чтобы сделать её максимально нацеленной на разгон, независимо от возраста комплектующих.

Наш тестовый образец Core 2 Duo оказался весьма удачным, поскольку он смог достичь 520-МГц FSB при множителе 8x по умолчанию и 540-МГц FSB при множителе 6x на топовых материнских платах. Используя самый высокий множитель памяти у чипсета P35, при множителе 6x CPU мы можем получить эффективную частоту памяти 2 160 МГц!

Конечно, нам требовалась материнская плата, которая работает с памятью очень стабильно, и лучше всего на эту роль подошла Gigabyte GA-P35T-DQ6.

Чтобы получить разные частоты памяти при фиксированном множителе 6x, нам потребовалось в каждом тесте менять частоту CPU. Изменение частоты CPU заметно влияет на результаты обычных тестов, поэтому мы ограничились только тестами пропускной способности памяти в разделе разгона.

Результаты тестов разгона

Разгон памяти часто требует увеличения питания, но некоторые модули менее терпимы к повышению напряжения, чем другие. Точно так же, есть более агрессивные оверклокеры, а есть и более умеренные. Поэтому мы выбрали три уровня напряжения, чтобы удовлетворить большей части аудитории: штатное (1,50 В), разумное повышенное напряжение (1,80 В) и сумасшедшее для агрессивных оверклокеров - 2,10 В. Обратите внимание, что даже наш "разумно безопасный" уровень является повышением штатного напряжения на 20%, хотя мы вполне уверены, что большинство модулей выдержат подобный режим на протяжении нескольких лет работы.

Чтобы поставить все модули в одинаковые рамки, мы ослабили в тестах разгона задержки до уровня 9-9-9-24. Каковы же будут результаты?

Память OCZ Platinum DDR3-1333 легко обогнала конкурентов на 2,10 В, даже опередив линейку ReaperX, нацеленную на экстремальный разгон, от того же производителя. Память Wintec AMPX вышла на второе место, показав самую высокую частоту при напряжении 1,80 В, но не смогла обеспечить какое-либо преимущество от повышения напряжения до 2,10 В.

Мы были весьма удивлены тому, что модули OCZ ReaperX не смогли разогнаться на 2,10 В лучше, чем на 1,80 В, поскольку они используют мощную систему охлаждения. Впрочем, OCZ - не единственная компания, чьи high-end модули уступили менее скоростным моделям, поскольку DIMM Kingston PC3-10600 обеспечили большую производительность, чем HyperX PC3-11000.

Теперь позвольте сравнить производительность каждого набора, куда мы добавили заявленные задержки (rated) в дополнение к максимальному разгону на CAS 9. Начнём мы с теста памяти PC Mark 2005.

Нужен ли ещё какой-нибудь тест, чтобы доказать, что самые скоростные модули дают лучшую производительность? Наверное, нет, но приведём результаты. Да, 928-МГц память OCZ ReaperX несколько обошла 930-МГц Wintec AMPX, но это может быть связано с другими задержками, помимо четырёх, которые мы выставили вручную.

В тесте PC Mark 2005 результаты совпадают с частотами модулей памяти. Давайте посмотрим на тест памяти SiSoftware Sandra.

Результаты Sandra вновь отражают прирост частоты памяти, хотя 920-МГц память Super Talent несколько обошла 930-МГц Wintec, что может быть, опять же, связано с задержками помимо тех четырёх, которые мы выставили вручную.

Конечно, основной причиной, почему при разгоне следует выбирать память DDR3, является обход ограничений по частоте памяти, которые могут возникнуть при увеличении частоты CPU. Учитывая небольшое различие в производительности памяти на такт, для разгона следует выбирать самую скоростную память, которая уместится в доступном бюджете.

Проблема с режимами "Boot Strap"

Следующий шаг в нашем тестировании заключается в нахождении наиболее производительных настроек памяти при данной тактовой частоте, то есть минимальных задержек. Звучит относительно просто, но на самом деле этот тест требует многих часов тестирования для проверки стабильности каждой пары модулей на каждой частоте.

Большинство протестированных модулей могут добраться до эффективной тактовой частоты 1 600 МГц. Идеальным решением для тестов подобных модулей будет процессор FSB1600 с частотами памяти 1 600, 1 333 и 1 066 МГц. Эти частоты соответствуют часто используемым множителям DRAM к FSB 2:1, 5:3 и 4:3. Достаточно просто, не так ли?

К сожалению, Intel не публикует каждый доступный делитель при каждой доступной скорости шины. Компания выбирает скорости памяти, исходя из собственных соображений по поводу того, что требуется потребителям, и поддерживает при каждом режиме FSB только их.

Чтобы выбрать делитель, который Intel не "благословила" для данной частоты, придётся выбрать другую частоту FSB и разогнать её.

Но здесь возникает проблема, о которой знают опытные оверклокеры, - режимы "Boot Strap". Северный мост чипсета работает на собственной тактовой частоте, которая зависит от частоты FSB. И каждый уровень частоты северного моста зависит от "Boot Strap". Например, для частоты FSB800 северный мост будет работать на 200 МГц ("200 MHz Boot Strap"), а для FSB1600 - на 400 МГц ("400 MHz Boot Strap"). Ручная установка 400-МГц частоты FSB (FSB1600) при использовании режима "Boot Strap"для 200-МГц FSB (FSB-800) приведёт к разгону северного моста на 100%.

Обратите внимание, например, что Intel больше не поддерживает DDR2-533 (физическая тактовая частота 266 МГц), то есть компания больше не предоставляет множитель 1:1 для 266-МГц FSB1066. Кроме того, чипсет X38 поддерживает "Boot Strap" FSB1600, но в этом режиме нет множителя 5:3, который необходим для памяти DDR3-1333. Чтобы получить множитель 5:3 DRAM к FSB, необходимо использовать 200-МГц "Boot Strap"вместо 400-МГц, "родного" для FSB1600.

Эффект выбора неверного "Boot Strap"не следует преуменьшать, поскольку ни чипсет P35, ни X38 нельзя разогнать на 100%, но даже если было бы и можно, то получилось бы заметное падение общей системной производительности.

Это не позволило нам использовать некоторые "родные" DDR3-1333 модули с процессором FSB1600 на материнской плате Gigabyte X38T-DQ6, поскольку она автоматически выставляла 400-МГц FSB с множителем памяти 5:3 DRAM:FSM, что, в свою очередь, приводило к низкочастотному 200-МГц режиму "Boot Strap"при высокой 400-МГц частоте FSB. В результате после 100% разгона северный мост отказывался загружаться.

Поэтому мы не рекомендуем использовать память DDR3-1333 для процессоров с FSB1600 на чипсете P35, но как насчёт X38? Наша плата Asus Maximus Extreme выставила 400-МГц режим "Boot Strap", который лишил её требуемого множителя 5:3 DRAM:FSB, поэтому модули заработали на частоте DDR3-1066.

Тестовая конфигурация: минимально возможные задержки

Из-за упомянутых выше ограничений режимов "Boot Strap", нам пришлось выбрать разные частоты FSB для тестов DDR3-1333 и DDR3-1600. Но как сделать правильное сравнение?

Поскольку с процессором FSB1600 множитель 5:3 DRAM:FSB недоступен, то и DDR3-1333 протестировать не получится. Поэтому нам пришлось сравнивать DDR3-1333 и DDR3-1066 на FSB1333, а DDR3-1600 и DDR3-1066 на FSB-1600.

Только две частоты CPU соответствуют одновременно FSB1333 и FSB-1600: 2,0 и 4,0 ГГц. Множители CPU для получения 4,0 ГГц на FSB1333 и FSB1600 составляют 12 x 333 МГц и 10 x 400 МГц, соответственно.

Поскольку плата Asus Maximus Extreme оказалась более грамотной в преодолении проблемы "Boot Strap", мы выбрали именно её для теста минимальных задержек.

Четырёхъядерные процессоры используют память чуть более эффективно, чем двуядерные, и наш тест задержек при максимальной частоте DDR3-1600 соответствует максимальному множителю памяти, который доступен процессорам FSB1600. Мы использовали единственный процессор с "родной" шиной FSB1600, который есть сегодня, а именно, Intel Core 2 Extreme QX9700 на ядре Yorkfield.

Игровые тесты существенно зависят от графической производительности, поэтому мы использовали мощную видеокарту GeForce 8800GTX от Foxconn.

Хотя производительность жёсткого диска не особо влияет на результаты выбранных тестов, использование модели на 10 000 об/мин явно не повредит. В этом отношении "древний" 150-Гбайт винчестер Western Digital Raptor по-прежнему остаётся в лидерах.

Полученные минимальные задержки

Мы использовали относительно безопасное напряжение 1,80 В, при котором определяли у тестовых модулей DDR3-1333 наилучшие задержки при сохранении стабильной работы на эффективных частотах памяти 1600, 1333 и 1066 МГц.

Модули памяти OCZ обеспечили впечатляющие задержки 4-4-3-9 на эффективной частоте памяти 1066 МГц, а потенциально недорогие DIMM Wintec AMPX оказались в тройке с двумя комплектами OCZ на DDR3-1333. Оверклокерам, которым требуются минимальные задержки на 1600 МГц, можно порекомендовать Super Talent 7-6-6-13.

Модули Patriot DDR3-1333 смогли достичь стабильной работы на эффективной частоте 1 652 МГц на топовой материнской плате P35 от Gigabyte, но Asus Maximus Extreme на чипсете X38, похоже, более требовательна. На новой платформе модули не смогли достичь даже частоты 1 600 МГц, но по задержкам они оказались на втором месте в категории DDR3-1333.

Снижение задержек позволяет увеличить производительность системы. Но на какой уровень? Об этом мы узнаем из следующих результатов тестов.

Результаты тестов с минимальными задержками

Кодирование видео

В DivX результаты оказались весьма странными, поскольку минимальные задержки не всегда приводили к победе. Похоже, есть небольшой прирост производительности от увеличения частоты, но результаты слишком непостоянны, чтобы их глубже анализировать.

XviD демонстрирует возможный прирост производительности от более скоростной шины FSB, а также и прирост от сочетания высокоскоростной FSB с высокими частотами памяти. Задержки на этот тест влияют незначительно.

Кодирование звука

Кодирование звука в Lame не демонстрирует ощутимого прироста производительности от разных частот памяти и задержек.

На результаты OGG частота памяти и задержки влияют слабо. С учётом полученных результатов можно отметить, что единственным ограничивающим фактором по производительности в обеих программах кодирования звука является процессор.

Игры

Производительность F.E.A.R. ограничивается другими факторами, а не производительностью памяти - скорее всего, видеокартой. Впрочем, вряд ли кто-то будет сетовать на это, поскольку частота кадров очень высока.

Quake 4 даёт крошечный прирост производительности при установке скоростных модулей, но задержки, похоже, влияют слабо.

Приложения

3D Studio Max не показывает ощутимого прироста производительности от более скоростной памяти или более жёстких задержек. Опять же, результаты, похоже, зависят от чистой производительности процессора.

Синтетические тесты

Тесты только памяти, возможно, являются единственными, где можно обнаружить заметный прирост производительности при незначительных изменениях задержек. И в PC Mark 2005 модули Super Talent с великолепными задержками в режиме DDR3-1600 оказались на вершине. С другой стороны, второе место Mushkin слабо связано с шестой позицией по задержкам в DDR3-1600.

Модули Super Talent с удивительно низкими задержками в режиме DDR3-1600 вновь вышли в лидеры в первом тесте памяти Sandra, но Kingston ValueRAM взяли второе место, несмотря на пятую позицию по минимальным задержкам.

Super Talent вновь занимают первое место во втором тесте памяти Sandra благодаря низким задержкам. Mushkin весьма странно второй раз приходят вторыми.

Заключение

Мы хотели, чтобы наше сравнительное тестирование памяти DDR3-1333 оказалось как можно более ценным, поэтому ждали несколько месяцев, пока на рынке не появится достаточное число модулей памяти, чтобы мы могли собрать подборку по соответствующим ценам. К сожалению, несколько из протестированных модулей так и не появились по привлекательным ценам. Впрочем, перед тем, как сделать заключение по ценам, давайте взглянем на производительность.

Как мы уже упоминали выше, сегодня основной причиной покупки памяти DDR3 является снятие барьеров при разгоне CPU, связанных с медленной памятью. Если вы посмотрите, сколько стоят модули DDR2-1200 или более скоростные, то наверняка предпочтёте модели DDR3-1333.

Поскольку нашей основной целью был разгон памяти, то здесь в лидеры вышли модули OCZ Platinum Edition PC3-10666, победившие даже собственную линейку компании ReaperX с улучшенной системой охлаждения, как и конкурентов. Фанаты OCZ воспримут сей факт как должное, но на памяти автора модули OCZ впервые выигрывают состязание по разгону. Приятно видеть, что компания действительно подтверждает свою хорошую репутацию, которая раньше завоёвывалась, в основном, маркетингом.

Покупателям, которые планируют разогнать память до уровня примерно 1 600 МГц, следует обратить внимание на модули Super Talent PC3-10600. Или на скромно выглядящие модули Kingston ValueRAM.

Мы впервые включили модули памяти от Aeneon в широкие тесты, и приятно видеть, что бывшее подразделение Infineon по производству памяти чувствует себя вполне уверенно. Пока эти модули не получили каких-либо наград, но компания может выгодно конкурировать с другими комплектами среднего сегмента рынка по цене.

Набор Wintec AMPX PC3-10600 занял второе место в наших тестах разгона, и хотя мы не смогли обнаружить эти модули на рынке, мы знаем, что эта компания будет конкурировать по цене с OCZ. Опять же, покупателям следует взвешивать любое снижение потенциала для разгона с соответствующим уменьшением цены.

Пользуясь компьютером, многие из нас даже не догадываются, что производительность устройства можно значительно увеличить, не прибегая к «апгрейду» - обновлению аппаратных компонентов. Делается это при помощи так называемого «разгона» различных видов микросхем. В частности, данного рода процедура очень популярна в отношении модулей оперативной памяти ПК (ОЗУ), наряду с аналогичными экспериментами с процессорами, видеокартами и прочими аппаратными компонентами компьютера.

Какова практическая значимость разгона ОЗУ, не считая повышения производительности ПК? Эта процедура, в частности, может использоваться при сравнительном тестировании от разных производителей в сервисных центрах.

Разгон аппаратных компонентов ПК - это популярное в мире и в России хобби. Люди, которые им увлекаются, именуют себя интересным термином "оверклоккеры" (от англ. overclock, означающего в одной из трактовок "разгон").

Есть ряд нюансов, знание которых может оказаться полезным для энтузиастов "оверклоккинга" и IT-специалистов, занимающихся тестированием «железа». Как разогнать оперативную память и обеспечить при этом наибольший прирост производительности ПК? Как обеспечить стабильную работу компьютера в «разогнанном» режиме? Как выбрать оптимальный метод "оверклоккинга" и при этом не навредить другим аппаратным компонентам компьютера?

Методы разгона ОЗУ

IT-специалисты, комментируя возможность разгона оперативной памяти, обычно акцентируют внимание на том, что как таковая микросхема ОЗУ, как правило, имеет заложенный заводом-изготовителем «иммунитет» к искусственному увеличению производительности. Поэтому разгонять модули отдельно от других аппаратных компонентов ПК может оказаться делом бесполезным. По этой причине на практике «оперативка» разгоняется практически всегда вслед за процессором. Отдельно — в крайне редких случаях. Прежде чем думать над тем, как разогнать оперативную память, пользователю ПК будет полезно изучить особенности ускорения производительности процессора.

Под «разгоном» оперативной памяти почти всегда понимают активизацию особых режимов ее работы. Каких именно?

Во-первых, это «разгон» посредством повышения модулей ОЗУ. Как правило, осуществляется эта процедура одновременно со сменой настроек процессора, направленных, в свою очередь, на увеличение его производительности.

Во-вторых, «разгон» ОЗУ может осуществляться посредством изменения так называемых «таймингов». Если их значения уменьшить, то процесс обмена электронными сигналами в микросхеме станет более интенсивным.

Некоторые специалисты выделяют также и третий способ ускорения производительности ОЗУ, а именно эксперименты с изменением значений, касающихся электрического напряжения в микросхеме.

Как разогнать оперативную память, используя все три выше описанных инструмента наиболее эффективно? Посмотрим, что рекомендуют IT-специалисты.

Выбор оптимального метода разгона ОЗУ

В силу технологических особенностей архитектуры модулей оперативной памяти оба вышеобозначенных метода их «разгона» не могут применяться в режимах выставления максимальных значений одновременно. Придется выбирать — высокие тайминги или же частоты, либо подбирать компромиссное сочетание настроек. Как разогнать оперативную память, корректно оптимизируя сочетание этих двух параметров?

IT-специалисты не дают однозначного ответа на этот вопрос. Есть только общие рекомендации. Одна из них звучит так: если мы выставим повышенные значения для тактовой частоты, то придется замедлять тайминги, иначе работа ПК будет нестабильной. А ускорение таймингов будет эффективным, только если тактовую частоту не повышать относительно заводского уровня.

Эксперты полагают, что все зависит от специфики архитектуры конкретных микросхем, а также от того, насколько корректно будут интерпретированы результаты тестирования разогнанных модулей.

Важнейший нюанс: многие специалисты отмечают, что пользователю, задумавшему разогнать процессор и память, нужно быть готовым к тому, что компьютер не ускорится, а, наоборот, замедлится. Такие случаи — не редкость. В этом случае идеальный вариант — не трогать заводские настройки ОЗУ и процессора. Лучшая оперативная память, полагают некоторые IT-эксперты — это та, которая работает по частотам и таймингам, выставленным производителем.

«Двойственность» частот ОЗУ: что нужно знать

Есть версия, что частота — определяющая характеристика в скорости работы ОЗУ. Поэтому при разгоне в первоочередном порядке следует уделять внимание именно этому параметру. Чем выше частота, тем больше операционных тактов производят модули ОЗУ в секунду. Тем, соответственно, выше скорость оперативной памяти. Вместе с тем есть здесь один интересный нюанс.

Эксперты советуют обратить внимание на то, что модули ОЗУ типа DDR имеют две «частотные» характеристики: реальную (фактическую) и эффективную. Причем вторая вдвое больше. Производители оперативной памяти крайне редко указывают фактическую. В то время как в программах диагностики и мониторинга работы аппаратных компонентов ПК, как правило, отображается именно такого типа частота.

Главные «тайминги»

Второй важнейший параметр при разгоне ОЗУ — тайминги. Их достаточно много, но в нашем случае нам пригодятся знания о четырех — CAS, RAS-to-CAS, а также Row Precharge и Row Active. В такой последовательности обычно указываются установленные в настройках значения таймингов.

Оптимальное рабочее напряжение

Оптимизация данного параметра важна с точки зрения стабильности работы разогнанного модуля ОЗУ. Заводское значение для модулей DDR2 составляет 1,8 вольт, для ОЗУ типа DDR3 чуть меньше — 1,5. Для «разгона» можно увеличивать напряжение, но ненамного. IT-специалисты рекомендуют выставлять значение в пределах 2,2 вольт для микросхем типа DDR2. Если же пользователь думает над тем, как разогнать оперативную память DDR3, то ему нужно иметь в виду, что для этого типа ОЗУ максимальное значение в вольтаже — 1,65. Если выше — то система может начать работать со сбоями. Специалисты отмечают: даже самая лучшая оперативная память от ведущих мировых брендов не гарантирует стабильности работы при манипуляциях с уровнем напряжения.

Тестируем производительность при разгоне

Как мы уже отметили выше, заранее сложно предугадать, какой метод разгона окажется эффективнее — манипуляции с тактовой частотой или таймингом. Поэтому если вы решили ускорить работу ПК, вам предстоит вооружиться специализированными программами, позволяющими вести мониторинг производительности разогнанных модулей ОЗУ.

На какие программы стоит обратить внимание? Эксперты советуют обзавестись таким ПО, как PC Mark и Everest. Какая именно программа для оперативной памяти подходит больше всего? Специалисты считают, что каждое из этих решений имеет свои плюсы и минусы. Многое зависит от субъективного уровня комфорта пользования этими программами, который определяет сам пользователь.

Данные виды ПО хороши, помимо качественного мониторинга в отношении производительности, наличием функций по отслеживанию стабильности работы модулей ОЗУ.

Измерять скорость оперативной памяти исключительно важно с точки зрения выбора оптимального сочетания инструментов для разгона микросхем.

Инструментарий разгона ОЗУ

Выставить необходимые значения частоты или поменять настройки в таймингах можно двумя способами: через интерфейс БИОС либо воспользовавшись специальным ПО. Многие IT-специалисты рекомендуют первый вариант, так как в этом случае осуществляется низкоуровневое взаимодействие с аппаратными компонентами ПК.

Таким образом, мы имеем дело с удивительной рекомендацией от IT-экспертов: не пользоваться ПО, запускамым из операционной системы. Лучшая, таким образом, программа для разгона оперативной памяти — это BIOS, система ввода-вывода.

Манипуляции с частотой: ключевые нюансы

Эксперты в области разгона аппаратных компонентов ПК считают, что подходить к изменению частоты ОЗУ нужно с особой осторожностью. Дело в том, что данный параметр нельзя выставить посредством корректировки какой-то одной цифры. Общая частота памяти — результат произведения двух разных параметров: FSB и BCLK (при этом к ним добавляется дополнительный коэффициент-множитель, который также можно менять). Произведение FSB и BCLK — это так называемая «опорная частота». Именно ее предстоит корректировать в процессе «разгона» ОЗУ. Эксперименты с коэффициентом-множителем без изменения опорной частоты, как правило, не приводят к видимым результатам.

Процессор как фактор эффективности разгона ОЗУ

Многие IT-эксперты считают, что подходы к разгону модулей ОЗУ следует выбирать, исходя из конкретной модели процессора. Вполне возможно, что выставление одних и тех же значений частоты, напряжения и таймингов при использовании модулей на разных процессорах будет сопровождаться совершенно противоположными результатами.

Разгоняем память с процессором Intel

Тесты, проводимые IT-специалистами, показывают, что при разгоне памяти, используемой в сочетании с современными процессорами Intel (особенно с теми, что построены на архитектуре Sandy Bridge), существуют следующие закономерности.

Во-первых, многие из микросхем Intel плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если его значения изменить, то ПК может начать работать нестабильно. Поэтому экспериментировать, скорее всего, будет возможно только с множителем.

Есть вместе с тем в линейке Intel процессоры, которые, как отмечают эксперты, прекрасно адаптированы к работе при разгоне памяти. Например, это микросхемы таких типов, как Core i7-8 (они собраны на базе архитектуры Lynnfield). Наименьшей совместимостью с разгоном памяти, как считают некоторые специалисты, обладают процессоры Intel, собранные на базе технологии Clarkdale (особенно новейших серий).

Специалисты отмечают, что на результативность ускорения ОЗУ при разгоне на процессорах Intel влияют параметры материнской платы ПК, а именно то, какие на ней использованы чипсеты. Быстрая работа одних микросхем в должна сопровождаться не меньшей динамикой производительности других. ПК — это комплекс электронных компонентов. Чем слаженнее их работа — тем быстрее и стабильнее функционирует компьютер. Если в распоряжении пользователя — низкопроизводительная материнская плата, оперативной памяти, скорее всего, никакой разгон не поможет.

Наилучшей совместимостью с разгоном памяти обладают микросхемы с чипсетом типа P67 Express.

Разгон памяти и процессоры AMD

IT-специалисты отмечают, что компания AMD характеризуется несравненно большей консервативностью в подходах к изменению архитектуры выпускаемых процессоров. Поэтому разогнанные модули ОЗУ в тандеме с микросхемами от AMD, полагают эксперты, ведут себя более предсказуемо, чем в случае использования в сочетании с процессорами Intel. Однако достигаемый уровень производительности, как отмечают IT-специалисты, при разогнанных модулях ОЗУ в тандеме с процессорами AMD обычно ниже.

Достаточно хорошо себя проявляют при разгоне ОЗУ микросхемы Phenom II, Athlon II. Опорная частота в них составляет 200 мегагерц. Для лучшего результата рекомендуется выставлять частоту для контроллера памяти в три, а порой даже более раз выше, чем аналогичный показатель для модулей памяти.

Специалисты отмечают, что память DDR3, считающаяся одной из самых производительных, почти не разгоняется на ПК, оснащенных процессором AMD. Важно при этом убедиться, что на материнской плате стоят иного типа модули. Прежде чем приступать к разгону, нужно изучить каждый слот оперативной памяти, посмотреть, какая на микросхемах стоит маркировка.

Что лучше разгонять: процессор или память?

На этот вопрос IT-эксперты не дают однозначного ответа. Почти всегда имеет смысл делать и то и другое одновременно. Вместе с тем некоторые специалисты полагают, что отдельный разгон процессора даст гарантированное увеличение производительности системы. В то время как эффект от использования разогнанной памяти не всегда сопровождается реальным ускорением работы ПК, а иногда даже, наоборот, система начинает «тормозить».

Как разогнать оперативную память компьютера так, чтобы производительность гарантированно выросла, но при этом снизилась вероятность возникновения неисправностей? Раскрыть реальный потенциал аппаратных компонентов ПК, как считают IT-эксперты, можно, реализуя комплексный подход, который выражается в одновременной работе по разгону самых разных типов «железа».

В частности, практическая значимость увеличения производительности ПК возникает, как правило, при запуске компьютерных игр и мощных графических приложений. Поэтому одновременно с ОЗУ и процессором имеет смысл разогнать также и видеокарту. Выставляя параметры оперативной памяти, предполагающие искусственное ускорение ее работы, следует сопоставлять их со значениями, которые потребуется устанавливать для других аппаратных компонентов ПК.

Аспект охлаждения

Выставить оптимальные значения по частоте и таймингам — половина дела. Очень важно позаботиться о том, чтобы аппаратура выдержала повышенные в силу проведенного разгона нагрузки. Поэтому прежде чем искусственно увеличивать скорость работу ОЗУ, следует убедиться, что на ней установлена мощная система охлаждения.

Планки оперативной памяти должны находиться в непосредственной близости от радиаторов. Это правило касается, между тем, не только ОЗУ, но и процессора (а также иных «разгоняемых» видов «железа»). Очень важно, чтобы вентиляция качественно обдувала каждый слот оперативной памяти, обеспечивала постоянную циркуляцию воздуха. В некоторых случаях имеет смысл установить одновременно с заводскими кулерами дополнительную систему

часть первая: аппаратное изменение параметров работы процессора и памяти

Предупреждение: модификации, о которых рассказывается в этой статье, могут привести к необратимому выходу ноутбука из строя и дальнейшему дорогостоящему ремонту! Любые модификации, описанные в настоящем материале, производятся пользователями на свой страх и риск.

Если вы не уверены в своих действиях или не очень хорошо знакомы с устройствами, описанными в статье, не стоит прибегать к описанным методам разгона!

Введение

Разогнать ноутбук несколько сложнее, чем настольный компьютер. Если в разгоне настольного компьютера 80% времени занимает процесс подбора нужных параметров в BIOS, то в разгоне ноутбука эту часть времени займет поиск ответа на вопрос "А как его вообще разогнать?", потому что BIOS ноутбука настройками для разгона не балует.

В ноутбуке, как и в стационарном компьютере, разогнать можно процессор, оперативную память и видеокарту.

Видеокарта

С ней обычно проблем нет, существует множество программ, позволяющих без труда её разогнать, например, RivaTuner, AtiTool и прочие. Аппаратно видеокарту разгонять тоже можно (модифицировать её BIOS, делать вольтмод видеочипа и видеопамяти), но сделать это непросто и опасно. На скорость загрузки ОС аппаратный разгон видеокарты не влияет, поэтому единственным удобством станет то, что после переустановки операционной системы не придется заново создавать профили разгона. К тому же, такой способ гораздо опасней программного, ведь в случае, например,неудачной модификации видео-BIOS в ноутбук не установишь другую видеокарту, а прошивать вслепую рабочий вариант BIOS не всегда возможно.

Оперативная память

В чипсетах AMD частота памяти не зависит от частоты FSB, но удачный самостоятельный разгон возможен только при использовании процессора AMD. В случае связки процессора Intel с чипсетом AMD частота памяти выбирается максимально возможная по данным из SPD (из поддерживаемых чипсетом, естественно), т.е. фактически для разгона памяти в этом случае достаточно прошить в SPD бОльшую частоту.

Процессор

С ним часто приходится попотеть, чтобы получить желаемый результат. Разогнать процессор в ноутбуке можно тремя основными способами:

1. Программный разгон. Он осуществляется с помощью программ, которые управляют тактовым генератором (ТГ, PLL-микросхема, clocker, клокер) и умеют на лету изменять частоту FSB . Здесь есть одно "но" - чтобы программа работала, нужно знать, какой тактовый генератор установлен в Вашем ноутбуке, а для этого придётся либо его разбирать и искать заветную микросхему на плате, либо подбирать, пробуя каждый из немалого списка ТГ. Примерами программ для разгона являются SetFSB, Clockgen и прочие. Есть также некоторые факторы, ограничивающие применение этого метода разгона, а именно:

• не все PLL поддерживают программное управление;
• бывает, что разгон заблокирован аппаратно или на уровне BIOS. Т.е. даже если нужный ТГ поддерживается программой, разгон осуществить не удастся;
• новые ноутбуки с новыми ТГ выпускают чуть ли не каждую неделю, соответственно, на добавление поддержки этих ТГ иногда требуется значительное время;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, поэтому при разгоне можно упереться в память.

2. BSEL-мод. Метод заключается в подаче низкого (логический 0) и высокого (логическая 1) уровня на BSEL-пины процессора. Под низким и высоким уровнем понимается напряжение определённой величины, оно может быть различным для разных процессоров. Физически реализуется замыканием на землю и изолированием (либо замыканием на Vcc пины процессора) соответствующих пинов процессора. Главный плюс такого метода в том, что чипсет выставляет новое соотношение FSB: DRAM либо более высокие тайминги для оперативной памяти, поэтому разгон не упрётся в память, но не всегда. Как и в случае с программным разгоном, у BSEL-мода есть свои подводные камешки:

• Последние мобильные чипсеты Intel (проверено на 945PM, PM965, PM45) после BSEL-мода блокируют множитель процессора на х6, и результирующая частота оказывается меньше исходной. На чипсетах AMD такой проблемы нет (проверялось на чипсете Xpress 1250 c процессором Intel T2330, BSEL-мод 133->200 прошел успешно);
• частоту FSB таким способом можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.п.;
• если чипсет официально не поддерживает частоту FSB, на которую планируется сделать BSEL-мод, то, скорее всего разгон не удастся. Это может происхоидть по разным причинам, например, блокировка либо отсутствие поддержки других BSEL-комбинаций в BIOS, или невозможность чипсета работать на новой бОльшей частоте и т.п.

3. Мод тактового генератора. Непосредственное вмешательство в электрическую схему, связывающую ТГ с процессором и чипсетом. Метод похож на BSEL-мод, только проводится с BSEL-пинами микросхемы ТГ, а не процессора. При этом в ряде случаев нужно отключать BSEL-пины процессора от модифицируемых BSEL пинов ТГ. Преимущества данного метода:

• он универсален и подходит почти ко всем ноутбукам;
• в отличие от BSEL-мода, чипсетуBIOS необязательно иметь официальную поддержку нужной частоты, и такой разгон невозможно заблокировать в BIOS. В общем случае чипсет вообще не знает, что новая частота FSB отличается от частоты, задаваемой BSEL-пинами процессора.

Недостатки:

• достаточно сложно реализовать, требует навыков обращения с паяльником и некоторых теоретических знаний, а также наличие мультиметра и некоторых других технических приспособлений;
• как и в случае с BSEL-модом, частоту можно переключать только на стандартные значения типа 133, 166, 200, 266 и т.д.;
• частота памяти увеличивается вместе с частотой FSB, так что разгон может упереться в память.
• При таком методе чипсет не переключает свои внутренние тайминги, и увеличить частоту FSB более чем на 66 МГц вряд ли получится.

Последние 2 способа аппаратные, т.е. они начинают работать сразу после нажатия кнопки «ВКЛ», после переустановки ОС тоже не нужно всё настраивать заново.

Разгон видеокарты

В Samsung R560 стоит распаянная на материнской плате дискретная видеокарта GeForce 9600M GS/GT с 256/512 MB GDDR3 памяти. У меня версия GS с 256 MB. Разгонялась она с помощью программы nVidia system tools. Подробно описывать этот процесс смысла нет, т.к. он заключается в передвижении ползунков в программе. Скажу лишь, что после выставления частот необходимо тестировать систему на артефакты и нагрев «волосатыми» тестами типа FurMark или кубика в AtiTool. Артефакты - это искажения изображения при переразгоне. Вот максимальный, стабильный разгон моего экземпляра:

Частоты я поставил в автозагрузку с помощью правил в той же nVidia system tools. Стоит отметить, что в простое карта сама сбрасывает частоты для экономии энергии.

Разгон процессора и памяти

Небольшая предыстория

Тут все оказалась не так гладко как с видеокартой. Когда еще у меня был Samsung R70, я хотел разогнать его программно, потому что понятия не имел об остальных способах. Ради этого я разобрал ноутбук, нашел ТГ и отправился качать программы для изменения частоты FSB. Ноутбук был тогда относительно новым, и поддержки нужного мне ТГ ни в одной программе не оказалось. Точнее, в них были были модели ТГ, похожие на мою, они даже позволяли менять частоту, но через несколько секунд ноутбук зависал.

Я не поленился и написал письмо Abo, разработчику SetFSB, с просьбой добавить поддержку моего ТГ. Однако он ответил, что указанный ТГ не поддерживает программное изменение частоты. Тогда я написал ему про ситуацию насчет изменения частоты при выборе другого PLL, но в ответе он написал, что не понимает как это может быть реализовано.

Но я на этом не остановился. Перелопатив десятки страниц в поисковиках и сайтов на китайском языке, я нашёл и скачал техническое описание (даташит) на свой ТГ и его ближайших родственников. Оттуда я узнал, что ТГ управляется путём записи данных в его регистры . А самое замечательное, что содержимое этих регистров можно просматривать и изменять в SetFSB. Внимательно изучив даташит, я все-таки нашел регистр, с помощью которого можно было управлять частотой этого злополучного PLL:

Видно, что 7-й бит отвечает за включение/выключение ручного режима управления, а с 4-го по 2-й - за выставление частоты. Правда, частоту с его помощью можно было менять только ступеньками с одной стандартной частоты на другую, т.е. 166,200,266 и т.п. - так, как это делает BSEL-мод. И это тоже был, казалось бы, тупик, потому что в R70 стоял процессор с частотой FSB=200 МГц и чипсет PM965, который официально не поддерживает более высокую частоту. Т.е. при переключении с частоты 200 МГц на частоту 266 МГц ноутбук зависал. Вольтмод чипсета я тогда еще делать не умел, впрочем, если бы даже и умел, то неизвестно, помог бы он или нет. Но к счастью, у знакомого оказался процессор T5750, который работал на FSB 166 МГц, и мы поменялись. С этим процессором разгон удался, изменив значение регистра я переставил частоту со 166 на 200 МГц и получил прирост частоты процессора в 400 МГц и частоты памяти в 133 МГц, т.е. процессор стал работать на 2,4 ГГц, а память DDR2 - на 800. Хотя, честно говоря, абсолютный выигрыш от разгона в данном случае несколько сомнителен, так как у моего Т7300 кэш второго уровня 4 МБ, а у Т5750 он в два раза меньше. И непонятно, что в данном случае лучше - лишние 2 МБ кэша или 400 МГц прироста частоты.

И все вроде бы получилсоь, только вот частота выставлялась через раз, а в остальных случаях ноутбук зависал, причем чаще зависал, чем выставлял частоту. Но какое никакое, а достижение. Написал про этот регистр Abo, и он впоследствии добавил поддержку моего PLL в SetFSB. Правда, поддержка не такая, как для «нормальных» ТГ, но хоть какое-то поле для действий. Под «нормальными» ТГ я подразумеваю такие ТГ, которые позволяют изменять частоту с шагом ~1 МГц, а не по таблице.

В R560 стоит точно такой же тактовый генератор. Кстати говоря, не во всех экземплярах R70, R560 и R710 (аналог R560 с 17-дюймовым экраном) стоят ТГ Silego SLG8SP513V. В некоторых устанавливались ТГ фирмы IDT и SpectraLinear. Ситуация с их поддержкой такая же безрадостная как и с SLG, причем в ТГ SpectraLinear частоту переключать нельзя вообще никак. Вот сам ТГ от Silego:

Процесс разгона

В R560 установлен чипсет Intel PM45, который официально поддерживает частоту 266 МГц и может работать даже на частоте 333 МГц, что, казалось бы, создает идеальные условия для разгона моего Т7300 (200*10). Однако не тут-то было. Чипсет при старте ноутбука в зависимости от частоты FSB (точнее, не от самой частоты, а от BSEL-комбинации пинов процессора) выставляет тайминги для памяти, которые он берет из SPD. И получилась такая ситуация: для FSB 200 МГц выставлялись тайминги 6-6-6-15, а для разгона на FSB 266 МГц нужны тайминги 7-7-7-20, если верить SPD. Выходов было несколько:

• сделать BSEL-мод на 333 МГц, тогда множитель заблокируется на х6 и результирующая частота процессора останется такой же (333*6=2,0 ГГц), что достаточно неплохо, учитывая более широкую шину процессора и то, что частота памяти была бы в этом случае 1333 МГц. Тайминги при этом должны выставиться правильные;
• модифицировать SPD модулей памяти так, чтобы на частоту FSB 200 МГц чипсет выставлял тайминги 7-7-7-20. При этом дальше можно было бы заниматься программным разгоном, т.к. память функционировала бы в стандартном режиме.

Первый вариант, на который я так надеялся, отпал после его практической проверки. В таком положении перемычек/изоляторов на BSEL-пинах процессора ноутбук не стартовал вообще. Такая ситуация возможна в силу целого ряда причин, но точную могут знать только инженеры компании Samsung.

Второй вариант было реализовать относительно просто. Существует специальное ПО для перепрошивки SPD, я воспользовался Taiphoon Burner 6.1. Однако при прошивке возникла проблема: в силу того, что в R560 используется память типа DDR3, разные программы почему-то выдают разную информацию об SPD, однако это в итоге не помешало мне при работе с SPD. После недолгих опытов и перепрошиванием SPD туда и обратно выяснилось, что ноутбук упорно не хочет стартовать, если для частоты FSB 200МГц прописан Cas Latency не равный 6, а мне нужен был CL=7. Остальные тайминги без CL=7 выставлялись замечательно. Некоторое время я искал на различных форумах причины такой ситуации, но безрезультатно. Поэтому было решено протестировать тайминги 6 -7-7-20. Вопреки моим ожиданиям, система не только запустилась, но и стабильно работала даже в стресс-тестах.

Вот что прописано в SPD по умолчаниию:

А вот модифицированный вариант:

Так выглядит редактор таймингов:

Стоит отметить, что если у вас только одна планка памяти, то заниматься перепрошивкой SPD не стоит. Потому что в случае неправильной установки таймингов ноутбук стартовать с этой планкой не будет. Я специально для опытов купил еще одну самую дешёвую планку памяти на гигабайт, которую не слишком жалко потерять. Если в ноутбуке стоит две планки и одна из них прошита неправильно, то можно вставить рабочую, загрузить на ней систему, а потом «на горячую» воткнуть нерабочую и прошивать её обратно на рабочие тайминги. Есть риск спалить планку или, что еще хуже, того материнскую плату, но при отсутствии под рукой программатора других вариантов нет. К слову, планку я таким способом возвращал к жизни около 10 раз и сейчас она чудесно функционирует. Позднее было выяснено, что существует безопасный способ с заклеиванием контактов на планках скотчем. Суть его заключается в том, что нужно заклеить скотчем все контакты на планке памяти, кроме тех, которые нужны для чтениязаписи микросхемы SPD. Для So-DIMM DDR3 204pin нужно оставлять незакленными по 5 последних контактов с обоих сторон планки. Если память другая, то нужно найти даташит на нужный формфактор, и в соответствии с ним оставить незаклеенными плюс, массу и пины, касающиеся работы с микросхемой SPD.

Казалось бы, цель достигнута, но у программного разгона R560 есть существенные недостатки - мало того, что, как и в R70, при переключении частоты ноутбук с вероятностью ~70% зависает, при удачном переключении частоты он ещё и перезагружается. Понятно, что о постоянном использовании этой схемы и речи быть не может, в лучшем случае будет двойной старт, в худшем система вообще зависнет.

Финишная прямая

К счастью, это был не конец. На форуме, в ветке про разгон ноутбуков, я наткнулся на запись о том, как один человек (Выражаю благодарность Константину из Байконура, без него то, что я буду описывать далее, не получилось бы) с помощью паяльника и определенных навыков сделал мод, при котором чипсет продолжал думать, что работает на стандартной частоте, в то время как ТГ выдавал другую (способ разгона №3). Множитель, естественно, не блокировался. Посовещавшись с ним, мы пришли к выводу, что аналогичный мод можно сделать и у меня.

Как я уже говорил ранее, в тактовом генераторе существуют три пина, которые выполняют ту же функцию, что и контакты BSEL в процессоре. На рисунке это пины под номерами 5, 17, 64.

В большинстве случаев на этих пинах висят еще и дополнительные функции, поэтому приходится думать, что-то куда-то перепаивать, где-то делать разрыв, добавлять дополнительные сопротивления. В общем, это достаточно трудоёмкий процесс, требующий специальных знаний, навыков, инструментов и деталей. Чтобы сделать такой мод, нужно отследить, с чем соединяется на плате нужный пин тактового генератора. В моем случае это было нереально, так как выходящая из ТГ дорожка через 5 мм уходила во внутренние слои платы. К счастью, мне повезло, на нужном мне пине, а именно №64, была функция, которая ни на что не влияет в нормальном режиме работы ноутбука.

Согласно этой таблице, чтобы переключить частоту с 200 на 266 МГЦ, мне нужно было отпаять пин FS_B (№64) и подать на него низкий уровень, т.е. замкнуть его на землю, чтобы получить логический 0. В принципе, если не замыкать его на землю, а просто отпаять, то, по идее, ничего измениться не должно, так как на стандартной частоте эта нога имеет значение логической единицы. Я не долго думая разобрал ноутбук и перебил дорожку, отходящую от 64-го пина.

Решил проверить ноутбук и убедиться, что он по-прежнему работает. Windows загрузилась, и тут я в трее, рядом со значком RMClock, увидел на индикаторе частоты процессора цифру 2,66, подумал что это какой-то сбой. Выключил, включил, но RMClock все равно показывал те же цирфы, а CPU-Z показывал, что частота FSB равна 266 МГц. Единственное, меня немного смущал вопрос, почему пин, висящий в воздухе, принимается за логический 0. Я протестировал систему на стабильность в течение нескольких минут и наконец собрал ноутбук на все винты, а не на три шурупчика «лишь бы держалось». Можно считать, что цель достигнута.

Вот они, заветные цифры:

В скором времени обнаружилась интересная особенность - после ухода ноутбука в режим сна S3, и выхода из него, частота сбрасывалась на заводскую. Тут я вспомнил про пин, висящий в воздухе, и решил всё-таки припаять его на землю, как и полагается. После этого баг больше не проявлялся.

Охлаждение и тестирование

Во времена, когда у меня был еще R70, очень остро стоял вопрос охлаждения, потому что установленная в него видеокарта 8600M GT сильно греется, а при разгоне температура вообще доходила до 100 градусов. С этим надо было что-то делать. При разборке я заметил, что на других ноутбуках прямо под вентилятором охлаждения предусмотрены вентиляционные отверстия, через которые он засасывает холодный воздух. В R70, также как и в R560, напротив вентилятора таких отверстий нет и поток воздуха из-за этого ослабевает и приходит на вентилятор уже нагретый за счёт тепла компонентов материнской платы. Я решил исправить этот досадный момент колхозным, но эффективным способом:

Уже не помню, насколько упала температура после этого, но могу сказать, что такой ход примерно равносилен покупке охлаждающей подставки, он снижает температуру на 5 и более градусов в зависимости от нагрузки. Кстати о подставке, всем рекомендую приобретать такую, если хотите заняться разгоном ноутбука. Главное при выборе подставки для R560, это расстояние между днищем и подставкой - чем оно больше, тем лучше. Расположение вентиляторов имеет имеет значение только если вы будете сверлить отверстия напротив вентилятора, как это сделал я. Лучше, если заборные отверстия вентилятора ноутбука находятся прямо над вентиляторами подставки.

Теперь о результатах тестов. Рассуждать тут собственно не о чем, цифры говорят сами за себя:

3Dmark 2006 (default, 1280×800, видеокарта под разгоном, процессор и память не разогнаны, XP).

Everest без разгона:

Everest с разгоном:

О температурном режиме могу сказать, что мой T7300 сам по себе горячий, стресс-тестирование S&M или LinX без дополнительного охлаждения он не проходит даже на заводской частоте. Без разгона эта проблема на ура решается понижением напряжения - процессор может стабильно работать при напряжении 0,9875В. А вот с разгоном понижать напряжение уже некуда. С разгоном в ресурсоёмких играх температура процессора держится на уровне 80–90 градусов, видеокарты - около 80. Хотя, в принципе, этот уровень находится в пределах нормы. Примечательно, что после разгона температура процессора практически не изменилась.

Заключение

Разгон ноутбуков - занятие непростое, но интересное и к тому же выгодное. Зачем покупать ноутбук за 50–70 тысяч рублей, когда той же (если не бо́льшей) производительности при правильном подходе можно добиться от ноутбука за 30–40 тысяч. Пример в лице Samsung R560 это подтверждает. Мое личное мнение состоит в том, что Samsung R560 просто создан для разгона. На 45-нм процессоре (которым он, кстати, и комплектуется) можно достичь внушительных результатов: процессор можно разогнать до ~2,8–3,4ГГц, память DDR3 - до 1333МГц. Недурно для ноутбука за ~35 тысяч рублей.

Глоссарий

• Слово «вольтмод» взято из английского (voltmodification) и означает «модификация напряжения». Вольтмод включает в себя любую модернизацию напряжения питания памяти или ядра (не путать с изменением настроек BIOS материнской платы). В основном вольтмод применяют для модернизации системы питания видеокарт или материнских плат.
• Чипсет - набор микросхем материнской платы.
• Тайминги - задержки доступа к данным в DDR-памяти.
• Микросхема SPD (Serial Presence Detect) - микросхема на планке оперативной памяти, в которой хранится информация о частотах, таймингах памяти и многое другое.
• Тактовый генератор - генерирует электрические импульсы заданной частоты (обычно прямоугольной формы) для синхронизации различных процессов в цифровых устройствах.
• Частота, на которой работает центральный процессор, определяется исходя из частоты FSB и коэффициента умножения. Большинство современных процессоров имеют заблокированный коэффициент умножения, так что единственным способом разгона является изменение частоты FSB.
• BSEL-пины на процессоре отвечают за выбор чипсетом и ТГ частоты FSB и всех зависящих от неё параметров соответственно. На последних процессорах таких пинов три, они могут принимать значения логического нуля или единицы. Различные комбинации таких нулей и единиц соответствуют разным частотам FSB.
• Регистром называется функциональный узел, осуществляющий приём, хранение и передачу информации.